Published May 12, 2004 | Version v1
Journal article Metadata-only

Radiation effect on the MIS transistor characteristics

Creators

  • 1. Voronezhskij Gosudarstvennyj Univ., Voronezh (Russian Federation)

Description

Paper presents the experimental results of radiation effect on parameters of an MIS transistor. It is shown that to determine density of surface states and charge in a dielectric precisely by means of threshold VAC one shall take account of transistor planar heterogeneity. Certain sophistication of the technique is compensated for by increase of accuracy of check of surface parameters and by extra possibility to determine potential fluctuations of the surface

Abstract (Russian)

Представлены экспериментальные результаты радиационного воздействия на параметры МДП-транзистора. Показано, что для корректного определения плотности поверхностных состояний и заряда в диэлектрике методом подпороговых ВАХ необходим учет планарной неоднородности транзистора. Некоторое усложнение методики компенсируется повышением точности контроля поверхностных параметров и дополнительной возможностью определения флуктуаций потенциала поверхности

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Влияние радиационного воздействия на характеристики MDP-транзистора

Publishing Information

Journal Title
Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki
Journal Volume
30
Journal Issue
9
Journal Page Range
p. 73-81
ISSN
0320-0116
CODEN
PZTFDD

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
37011271
Subject category
S46: INSTRUMENTATION RELATED TO NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY;
Descriptors DEI
ELECTRIC CHARGES; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC POTENTIAL; ENERGY LEVELS; FLUCTUATIONS; MIS TRANSISTORS; PERFORMANCE; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; RADIATION DOSES
Descriptors DEC
DOSES; ELECTRICAL PROPERTIES; PHYSICAL PROPERTIES; RADIATION EFFECTS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSISTORS; VARIATIONS

Optional Information

Notes
10 refs., 2 figs.