Published February 12, 2001 | Version v1
Journal article

Electric field effect on the charge state of the ion implanted structures of silicon-silicon dioxide

  • 1. NII Fiziki Sankt-Peterburgskogo Gosudarstvennogo Univ., Sankt-Peterburg (Russian Federation)

Description

It is established that the Ar ions implantation into the oxide layer of the Si-SiO2 structures leads to formation in the SiO2 volume of the positive and near-the-surface of Si the negative charges (beginning from the dose 1014 cm-2). The change in the charge state of the given structures under the electric field effect is studied. It is shown that negatively charged centers are hole traps, recharged in the electric field up to the neutral state

Abstract (Russian)

Установлено, что имплантация ионов Ar в окисный слой структур Si-SiO2 приводит к образованию в объеме SiO2 положительного и ближе расположенного к поверхности Si отрицательного (начиная с дозы 1014 см-2) зарядов. Исследовано изменение зарядового состояния данных структур под действием электрического поля. Показано, что отрицательно заряженные центры являются дырочными ловушками, перезаряженными в электрическом поле до нейтрального состояния

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Влияние электрического поля на зарядовое состояние ионно-имплантированных структур кремний — двуокись кремния

Publishing Information

Journal Title
Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki
Journal Volume
27
Journal Issue
3
Journal Page Range
p. 89-94
ISSN
0320-0116
CODEN
PZTFDD

Optional Information

Notes
4 refs., 2 figs.