Hydrogen interaction with radiation defects in p-type silicon
- 1. Inst. Problem Tekhnologii Mikroehlektroniki i Osobochistykh Materialov RAN, Chernogolovka (Russian Federation)
- 2. Inst. Nizkikh Temperatur, Tekhnicheskij Univ. Drezdena, Drezden (Germany)
Description
Hydrogen interaction with radiation defects in p-type silicon has been investigated by deep-level non-stationary spectroscopy. Hydrogen is introduced into the high-energy electron-irradiated crystals under chemical etching in acid solutions at room temperature followed by the reverse-bias annealing at 380 K. It is observed that passivation of the irradiation-induced defects is accompanied by formation of novel electrically active defects with hydrogen-related profiles. Effect of hydrogen on the electrical activity of the CsCi complexes is shown for the first time. Based on the spatial distribution and passivation kinetics, possible nature of the novel complexes is analyzed. The radii for hydrogen capture by vacancies, K-centers, CsCi centers and the novel complexes are determined
Abstract (Russian)
Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовалось взаимодействие водорода с радиационными дефектами в кремнии p-типа проводимости. Водород вводился в кристаллы, облученные электронами с высокой энергией, при жидкостном химическом травлении при комнатной температуре и последующем отжиге с обратным смещением при 380 К. Обнаружено, что процесс пассивации радиационных дефектов сопровождается образованием новых электрически активных центров с водородозависимым профилем рспределения. Впервые показано, что водород пассивирует электрическую активность комплексов CsCi. На основе данных о пространственном распределении дефектов и кинетики процесса пассивации проведен анализ возможной природы вновь образующихся центров. Определены радиусы захвата водорода дивакансиями, K-центрами, комплексами CsCi и новыми дефектамиAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Взаимодействие водорода с радиационными дефектами в кремнии п-типа проводимости
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 35
- Journal Issue
- 12
- Journal Page Range
- p. 1417-1422
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 34045882
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- ANNEALING; ELECTRON BEAMS; ETCHING; HYDROGENATION; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; SILICON; SILICON COMPLEXES; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K; VACANCIES
- Descriptors DEC
- BEAMS; CHEMICAL REACTIONS; COMPLEXES; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL STRUCTURE; ELEMENTS; HEAT TREATMENTS; LEPTON BEAMS; PARTICLE BEAMS; POINT DEFECTS; RADIATION EFFECTS; SEMIMETALS; SURFACE FINISHING; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 22 refs., 5 figs.