Published February 2001 | Version v1
Journal article

Optical study of InP quantum dots

  • 1. Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe Rossijskoj Akademii Nauk, Sankt-Peterburg (Russian Federation)

Description

A photoluminescent study is made of self-assembling InP nanoscale islands (quantum dots) embedded in In0.49Ga.051P matrix grown on GaAs substrate by metal organic vapor phase epitaxy. The dependences of the luminescence efficiency on temperature within 77-300 K range and on the excitation level (0.01-5 kW/cm2) are obtained. It is shown that the photoluminescence spectra represent a superposition of quantum dots and wetting layer spectra. Their shares depend on the temperature and power level. Emitting wavelength varies through the range of 0.65-0.73 μm. Quantum dots have a high temperature stability of the wavelength, and a high quantum efficiency at low excitation level at 77 K

Abstract (Russian)

Проведено фотолюминесцентное исследование самоорганизующихся наноразмерных кластеров (квантовых точек) InP в матрице In0.49Ga.051P, выращенных на подложке GaAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Получены зависимости эффективности люминесценции от температуры в интервале 77-300 К и от уровня возбуждения при мощности накачки 0.01-5 кВт/см2. Спектры фотолюминесценции являются суперпозицией излучения квантовых точек и смачивающего слоя. Соотношение их интенсивности зависит от мощности накачки и температуры, а длина волны излучения структуры изменяется в пределах 0.65-0.73 мкм. При низком уровне возбуждения и 77 К квантовые точки InP имеют высокую температурную стабильность длины волны излучения и высокую квантовую эффективность

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Оптические исследования квантовых точек InP

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
35
Journal Issue
2
Journal Page Range
p. 242-244
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

Optional Information

Notes
8 refs., 4 figs.