Published March 2000 | Version v1
Journal article Metadata-only

Study of surface and bulk defects in carbon and silicon by methods of field-ion and scanning tunnel microscopy

Creators

  • 1. Inst. Teoreticheskoj i Ehksperimental'noj Fiziki, Moscow (Russian Federation)

Description

Surface and bulk defects in carbon and silicon were studied comprehensively and in parallel by means of field-ion and scanning tunnel microscopy. The specimens were irradiated by He+, Ar+ and Bi+ ions with 20-30 keV energy under room temperature. The irradiation fluences constituted 1018-1020 ion/m2. The determined parameters of the depleted zones and cascades of atomic shifts were compared with the theoretical estimations. It was shown that the dosed ion bombardment of material surface might be used as efficient radiation procedure to make field-emission cathodes to be used for vacuum microelectronics

Abstract (Russian)

Методами автоионной и сканирующей туннельной микроскопии проведено параллельное комплексное исследование поверхностных и объемных дефектов в углероде и кремнии. Образцы облучались ионами He+, Ar+ и Bi+ с энергиями 20-30 кэВ при комнатной температуре. Флюенсы облучения составили 1018-1020 ион/ м2. Установленные параметры обедненных зон и каскадов атомных смещений сравниваются с теоретическими оценками. Показано, что дозированная ионная бомбардировка поверхности материалов может быть использована как эффективная радиационная технология приготовления автоэмиссионных катодов для целей вакуумной микроэлектроники

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Исследование поверхностных и объемных дефектов в углероде и кремнии методами автоионной и сканирующей туннельной микроскопии

Publishing Information

Journal Title
Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki
Journal Volume
70
Journal Issue
3
Journal Page Range
p. 56-61
ISSN
0044-4642
CODEN
ZTEFA3

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
32047186
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
ARGON IONS; ATOMIC DISPLACEMENTS; BISMUTH ISOTOPES; CRYSTAL DEFECTS; GRAPHITE; HELIUM IONS; ION BEAMS; ION MICROSCOPY; KEV RANGE 10-100; MICROSTRUCTURE; RADIATION DOSES; SILICON; SURFACES
Descriptors DEC
BEAMS; CARBON; CHARGED PARTICLES; CRYSTAL STRUCTURE; DOSES; ELEMENTS; ENERGY RANGE; IONS; ISOTOPES; KEV RANGE; MICROSCOPY; MINERALS; NONMETALS; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; RADIATION EFFECTS; SEMIMETALS

Optional Information

Notes
18 refs., 4 figs., 2 tabs.