Published 1990 | Version v1
Miscellaneous

Component degradation by radioactive radiation and its consequences for the design of radiation-resistant electronic circuits

Description

Bipolar transistors, MOS and boundary layer field effect transistors, Zener diodes, integrated operational and transimpedance amplifiers are examined by means of irradiation experiments. Important information was obtained on insulating materials of the measurement structures, eg: on plastics, ceramics and PCB's. The simulation by means of numerical network analysis acted as an aid. Radiation-resisted circuits were tested and designed. (DG)

Availability note (English)

Available from TIB Hannover: RO 3478(901,5).

Abstract (German)

Mittels Bestrahlungsexperimenten wurden Bipolartransistoren, MOS- und Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, Z-Dioden sowie integrierte Operations- und Transimpedanzverstaerker untersucht. Wichtige Erkenntnisse ergaben sich ueber isolierende Aufbaumaterialien der Messstrukturen, z.B. ueber Kunststoffe, Keramik und Leiterplatten. Als Hilfsmittel diente die Simulation mittels numerischer Netzwerkanalyse. Strahlenresistente Schaltungen wurden getestet und entworfen. (DG)

Additional details

Additional titles

Original title (German)
Bauelemente-Degradation durch radioaktive Strahlung und deren Konsequenzen fuer den Entwurf strahlenresistenter elektronischer Schaltungen

Publishing Information

Imprint Pagination
138 p.
Journal Issue
no. 901/5
Series
Schriftenreihe des Instituts fuer Elektronik, Ruhr-Universitaet Bochum.