Published May 2002 | Version v1
Journal article

Band structure of semiconductor compounds of Mg2Si and Mg2Ge with strained crystal lattice

  • 1. Belorusskij Gosudarstvennyj Univ. Informatiki i Radioehlektroniki, Minsk (Belarus)

Description

The effect of isotopic and unaxial deformation of the crystal lattice on the electronic band structure of indirect band gap semiconductors Mg2Si and Mg2Ge has been simulated by means of the linear augmented plane wave method. The reduction of the lattice constant down to 95 % results in a linear increase of the direct transition in magnesium silicide by 48%. The stresses arising under unaxial deformation shift the bands as well as result in splitting of degenerated states. The dependence of the interband transitions on the lattice deformation is nonlinear in this case

Abstract (Russian)

Путем моделирования с помощью метода линейных присоединенных плоских волн исследовано изменение зонной структуры непрямозонных полупроводников Mg2Si и Mg2Ge при изотропной и одноосной деформации их кристаллических решеток. Обнаружено, что уменьшение постоянной решетки до 95% приводит к линейному увеличению энергетического зазора для прямого перехода в силициде магния на 48%. Напряжения, возникающие вследствие одноосных деформаций, не только смещают зоны, но и приводят к расщеплению вырожденных состояний. Изменения величин межзонных переходов при деформации решетки в этом случае носят нелинейный характер

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Зонная структура полупроводниковых соединений Мг

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
36
Journal Issue
5
Journal Page Range
p. 528-532
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

Optional Information

Notes
24 refs., 6 figs., 1 tab.