Published March 2008
| Version v1
Journal article
Formation of masking pattern by electron beam-induced vapor deposition
Creators
- 1. Nauchno-Issledovatel'skij Fiziko-Khimicheskij Inst. im. L.Ya. Karpova, Moscow (Russian Federation)
- 2. RAN, Fiziko-Tekhnologicheskij Inst., Moscow (Russian Federation)
Description
The dry resist-free process of electron beam-induced masking via chemical vapor deposition from a hydrocarbon precursor was studied. It was shown that the obtained mask exhibited a low selectivity during ion beam etching with SF6 ions. It was found that, during mask deposition, a thin (of the order of 1 nm) boundary layer is formed on the SiO2 plate surface; the layer had a substantially higher plasma resistance and, hence, high selectivity upon ion beam etching of SiO2. Certain features of the masking process and the properties of the mask material were studied
Abstract (Russian)
Изучен сухой безрезистный процесс электронно-лучевого нанесения изображения маски из углеводородного прекурсора на SiO2-субстрат. Показано, что полученная маска при ионно-лучевом травлении пучком ионов SF6 обладает низкой селективностью по отношению к SiO2. Обнаружено, что в процессе нанесения маски на поверхности пластины SiO2 формируется тонкий (порядка 1 нм) граничный слой, обладающий значительно более высокой плазмостойкостью и соответственно высокой селективностью при ионно-лучевом травлении SiO2. Изучены некоторые закономерности процесса формирования и свойства материала нанесенной маскиAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Нанесение маскирующего изображения методом электронно-лучевого осаждения из паровой фазы
Publishing Information
- Journal Title
- Khimiya Vysokikh Ehnergij
- Journal Volume
- 42
- Journal Issue
- 2
- Journal Page Range
- p. 134-142
- ISSN
- 0023-1193
- CODEN
- KHVKAO
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 39117564
- Subject category
- S38: RADIATION CHEMISTRY, RADIOCHEMISTRY AND NUCLEAR CHEMISTRY;
- Descriptors DEI
- CHEMICAL RADIATION EFFECTS; CHEMICAL REACTION KINETICS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ELECTRONS; ETCHING; HYDROCARBONS; ION BEAMS; KEV RANGE 10-100; MASKING; MORPHOLOGY; ORGANIC POLYMERS; PROTECTIVE COATINGS; SILICON OXIDES; SUBSTRATES; SULFUR FLUORIDES
- Descriptors DEC
- BEAMS; CHALCOGENIDES; CHEMICAL COATING; COATINGS; DEPOSITION; ELEMENTARY PARTICLES; ENERGY RANGE; FERMIONS; FLUORIDES; FLUORINE COMPOUNDS; HALIDES; HALOGEN COMPOUNDS; KEV RANGE; KINETICS; LEPTONS; ORGANIC COMPOUNDS; OXIDES; OXYGEN COMPOUNDS; POLYMERS; RADIATION EFFECTS; REACTION KINETICS; SILICON COMPOUNDS; SULFUR COMPOUNDS; SURFACE COATING; SURFACE FINISHING
Optional Information
- Notes
- 4 refs., 5 figs., 2 tabs.