Published January 1977 | Version v1
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Band formation in xenon-argon alloys studied by photoelectron spectroscopy

  • 1. Hamburg Univ. (Germany, F.R.). 2. Inst. fuer Experimentalphysik
  • 2. Muenchen Univ. (Germany, F.R.). Sektion Physik
  • 3. Kiel Univ. (Germany, F.R.). Inst. fuer Experimentalphysik

Description

Photoelectron energy distribution curves for Xenon-Argon alloys for concentrations ranging from 0-100% have been measured by excitation with synchrotron radiation at hupsilon = 13.8 eV, 16.5 eV and 18.0 eV. With increasing Xe concentration the gradual formation of Xe valence bands starting from the atomic Xe 5p1/2 and Xe 5p3/2 states is observed. Similarly with Ar the 3p states are broadened with increasing Ar concentration. Rather high concentrations of Xe or Ar are necessary in order to reach the fully developed Xe or Ar bands respectively. The results are discussed in terms of a concentration dependent tightbinding bandstructure. (orig.)

Availability note (English)

MF available from INIS under the Report Number.

Abstract (German)

Energieverteilungskurven von Photoelektronen wurden fuer Xenon-Argon-Legierungen im Konzentrationsbereich O - 100% durch Anregung mit Synchrotron-Strahlung (hupsilon = 13,8 eV, 16,5 eV und 18,0 eV) gemessen. Mit zunehmender Xe-Konzentration beobachtet man, ausgehend von den atomaren Xe-Zustaenden 5p1/2 und 5p3/2, eine schrittweise Bildung von Xe-Valenzbaendern. In gleicher Weise werden bei Ar die 3p-Zustaende mit zunehmender Argon-Konzentration verbreitert. Ziemlich hohe Xe- und Ar-Konzentrationen sind notwendig, um vollentwickelte Xe- bzw. Ar-Baender zu erreichen. Die Ergebnisse werden im Rahmen einer konzentrationsabhaengigen 'tightbinding'-Bandstruktur diskutiert (orig.)

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Publishing Information

Imprint Pagination
10 p.
Report number
DESY-SR--77/01

Optional Information

Notes
4 figs.; 19 refs.