Generation-recombination centers in CdTe:V
Creators
- 1. Chernovitskij Natsional'nyj Univ., Chernovtsy (Ukraine)
Description
Investigation results on electrical properties of surface-barrier structures are reported which permit a rather precise (± 0.01 eV) determination of the depth of location and the capture cross-section for the centers participating most efficiently in generation-recombination processes in a CdTe:V single crystal. Using vapor deposition of Al on CdTe:V single crystals the rectifying surface-barrier structures are prepared. The volt- ampere characteristics calculated on the basis of the Sah-Noyce-Shokley generation-recombination theory describe well the experimental curves. A comparison of calculation and experimental results allows determining the parameters of generation-recombination centers - the depth of the level E1 -0.715 eV, the capture cross-section σ = 2 x 1015 cm2 as well as the carrier lifetime τ = 7 x 10-8 s
Abstract (Russian)
Представлены результаты исследования электрических свойств поверхностно-барьерных структур, позволяющие довольно точно (± 0.01 эВ) определить глубину залегания и сечение захвата центров, наиболее эффективно участвующих в генерационно-рекомбинационных процессах в монокристалле CdTe:V. Вакуумным напылением Al на монокристаллы CdTe:V получены выпрямляющие поверхностно-барьерные структуры. Вольт-амперные характеристики, рассчитанные на основе теории генерации-рекомбинации Саа-Нойса-Шокли, хорошо описывают экспериментальные кривые. Сопоставление результатов расчета с экспериментом позволяет найти параметры генерационно-рекомбинационных центров - глубину залегания уровня E1 -0.715 эВ, сечение захвата σ = 2 x 1015 см2, а также время жизни носителей τ = 7 x 10-8 сAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Генерационно-рекомбинационные центры в CdTe:В
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 37
- Journal Issue
- 4
- Journal Page Range
- p. 469-472
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 36009154
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE; S74: ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS;
- Descriptors DEI
- CADMIUM TELLURIDES; CARRIER LIFETIME; CHARGE CARRIERS; DOPED MATERIALS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRON CAPTURE; MONOCRYSTALS; POINT DEFECTS; RECOMBINATION; SEMICONDUCTOR DIODES; TEMPERATURE RANGE 0273-0400 K; VANADIUM ADDITIONS
- Descriptors DEC
- ALLOYS; CADMIUM COMPOUNDS; CAPTURE; CHALCOGENIDES; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL STRUCTURE; CRYSTALS; ELECTRICAL PROPERTIES; LIFETIME; MATERIALS; PHYSICAL PROPERTIES; SEMICONDUCTOR DEVICES; TELLURIDES; TELLURIUM COMPOUNDS; TEMPERATURE RANGE; TRANSITION ELEMENT ALLOYS; VANADIUM ALLOYS
Optional Information
- Notes
- 10 refs., 5 figs.