Effect of ultraviolet radiation on temperature dependence of photoluminescence and photoacoustic response of porous silicon
- 1. Inst. Fiziki NAN Ukrainy, Kiev (Ukraine)
Description
The effect of ultraviolet radiation on the type of dependence of integral intensity of the Ilum(T) the porous silicon samples on temperature is studied. It is established that the Ilum(T) maximum for the samples with nonmonotonous character of temperature attenuation by increase in the excitation density shifts to the direction of higher temperatures. The UV-irradiation of such samples changes the type of the Ilum(T) from nonmonotonous to monotonous diminishing one. In the samples with initially monotonous diminishing character of the Ilum(T) dependence the UV-irradiation leads to the change in the radiation spectrum structure and to the increase in the tempo of temperature quenching of the red-orange band. The energy states diagram is proposed with an account whereof the Ilum(T) behaviour is explained
Abstract (Russian)
Изучено влияние УФ облучения на вид зависимости интегральной интенсивности люминесценции Ilum(T) образцов пористого кремния от температуры. Установлено, что для образцов с немонотонным характером температурного затухания при повышении плотности возбуждения максимум Ilum(T) смещается в сторону более высоких температур. УФ облучение таких образцов меняет вид Ilum(T) от немонотонного к монотонно убывающему. В образцах с изначально монотонно убывающим характером зависимости Ilum(T) влияние предварительного УФ облучения приводит к изменению структуры спектра и увеличению темпа температурного тушения красно-оранжевой полосы. Предложена энергетическая диаграмма состояний, с учетом которой объясняется поведение Ilum(T)Additional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Влияние UF облучения на температурную зависимост' фотолюминесценции и фотоакустический отклик пористого кремния
Publishing Information
- Journal Title
- Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki
- Journal Volume
- 71
- Journal Issue
- 1
- Journal Page Range
- p. 66-71
- ISSN
- 0044-4642
- CODEN
- ZTEFA3
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 33009690
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- PHOTOACOUSTIC EFFECT; PHOTOLUMINESCENCE; POROUS MATERIALS; SILICON; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0000-0013 K; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K; ULTRAVIOLET RADIATION
- Descriptors DEC
- ELECTROMAGNETIC RADIATION; ELEMENTS; EMISSION; LUMINESCENCE; MATERIALS; PHOTON EMISSION; RADIATIONS; SEMIMETALS; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 12 refs., 6 figs.