Published August 1999 | Version v1
Journal article Metadata-only

Some features of radiation effects in metal-semiconductor surface-barrier structures with microrelief interface

Creators

  • 1. Inst. Fiziki Poluprovodnikov, Kiev (Ukraine)

Description

Computer simulation is accomplished for straight branches of volt-ampere curves with taking into account thermionic emission current, recombination current in a space charge region and leakage current. The influence of 60Co quantum irradiation on electrical properties of metal-semiconductor surface-barrier structures (SBS) with a microrelief interface is experimentally studied using a Au-GaAs contact as an example. It is shown that low radiation doses (less than 103 Gy) promote increasing both Schottky barrier height φB and minority charge carrier lifetime τp as well as decreasing an ideality factor n. Within the dose range of 103 - 5 x 106 Gy the SBS parameters change only slightly. Dose rates for φB, τp and n are presented

Abstract (Russian)

Проведено компьютерное моделирование прямых ветвей вольт-амперных характеристик с учетом токов термоэмиссии, рекомбинации в области пространственного заряда и утечки. Экспериментально исследовано влияние облучения квантами 60Co на электрические характеристики поверхностно-барьерных структур (ПБС) металл-полупроводник с микрорельефной границей раздела на примере контакта Au-GaAs. Показано, что при малых дозах облучения (менее 103 Гр) на микрорельефных ПБС наблюдается увеличение высоты барьера Шоттки φB и времени жизни неосновных носителей заряда τp, а также уменьшение фактора идеальности n. В интервале доз 103 - 5 х 106 Гр параметры ПБС изменяются незначительно. Приведены дозовые зависимости для φB, τp и n

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Особенности радиационных эффектов в поверхностно-барьерных структурах металл-полупроводник с микрорельефной границей раздела

Publishing Information

Journal Title
Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
Journal Issue
no.8
Journal Page Range
p. 87-91
ISSN
1028-0960

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
31035467
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
CARRIER LIFETIME; COBALT 60; DOSE-RESPONSE RELATIONSHIPS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; GALLIUM ARSENIDES; GAMMA RADIATION; GOLD; INTERFACES; MORPHOLOGY; MS SOLAR CELLS; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; RADIATION DOSES
Descriptors DEC
ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; BETA DECAY RADIOISOTOPES; BETA-MINUS DECAY RADIOISOTOPES; COBALT ISOTOPES; DIRECT ENERGY CONVERTERS; DOSES; ELECTRICAL PROPERTIES; ELECTROMAGNETIC RADIATION; ELEMENTS; EQUIPMENT; GALLIUM COMPOUNDS; INTERMEDIATE MASS NUCLEI; INTERNAL CONVERSION RADIOISOTOPES; IONIZING RADIATIONS; ISOMERIC TRANSITION ISOTOPES; ISOTOPES; LIFETIME; METALS; MINUTES LIVING RADIOISOTOPES; NUCLEI; ODD-ODD NUCLEI; PHOTOELECTRIC CELLS; PHOTOVOLTAIC CELLS; PHYSICAL PROPERTIES; PNICTIDES; RADIATION EFFECTS; RADIATIONS; RADIOISOTOPES; SOLAR CELLS; SOLAR EQUIPMENT; TRANSITION ELEMENTS; YEARS LIVING RADIOISOTOPES

Optional Information

Notes
9 refs.; 3 figs.