Published January 2005 | Version v1
Journal article Metadata-only

Influence of localization in the quantum well on shallow impurity states lifetimes

Creators

  • 1. RAN, Inst. Fiziki Mikrostruktur, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)
  • 2. School of Electronic and Electrical Engineering, The Univ. of Leeds (United Kingdom)
  • 3. Dept. of Physics, UMIST, Manchester (United Kingdom)

Description

Results of experimental and theoretical investigations of localization effect on lifetime of shallow impurity states in quantum wells (QW) are presented. Transitions between excited doped states are caused interaction with acoustic phonons thus are determined by asymptotic behavior of wave functions at large wave vectors. It is shown that localization in the quantum well causes slower decay of impurity states wave functions in wave vector space and may lead to exponential decrease of lifetime of impurity states with quantum well width. Results of calculations are in good agreement with the data of experimental investigations of Be acceptor excited states in GaAs/AlAs QW structures

Abstract (Russian)

Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований влияния локализации в квантовой яме на время жизни состояний мелких примесных центров. Переходы между возбужденными примесными состояниями обусловлены взаимодействием с акустическими фононами, и, таким образом, определяются асимптотическим поведением волновой функции примесных состояний при больших значениях волновых векторов. Показано, что локализация в квантовой яме приводит к замедлению спадания волновых функций примесных состояний в пространстве волновых векторов и может приводить к экспоненциальному уменьшению времен жизни примесных состояний с уменьшением ширины ямы. Теоретические результаты хорошо согласуются с данными экспериментальных исследований времени жизни акцепторных состояний в структурах GaAs/AlAs:Be

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Влияние локализации в квантовой яме на время жизни состояний мелких примесмых центров

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
39
Journal Issue
1
Journal Page Range
p. 67-70
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

Conference

Title
Nanophotonics-2004
Original Conference Title
Soveshchanie: Nanofotonika-2004
Acronym
Conference
Dates
2-6 May 2004
Place
Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
37104070
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Resource subtype / Literary indicator
Conference
Descriptors DEI
ALUMINIUM ARSENIDES; BAND THEORY; BERYLLIUM ADDITIONS; DIAGRAMS; DOPED MATERIALS; ENERGY-LEVEL TRANSITIONS; EXCITED STATES; GALLIUM ARSENIDES; LIFETIME; PHONONS; PROBABILITY; QUANTUM WELLS; WAVE FUNCTIONS
Descriptors DEC
ALLOYS; ALUMINIUM COMPOUNDS; ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; BERYLLIUM ALLOYS; ENERGY LEVELS; FUNCTIONS; GALLIUM COMPOUNDS; INFORMATION; MATERIALS; NANOSTRUCTURES; PNICTIDES; QUASI PARTICLES

Optional Information

Notes
11 refs., 2 figs.