Published March 2001
| Version v1
Journal article
About the radiation stability of electrophysical properties in compensated silicon under γ-rays 60Co irradiation
Creators
- 1. Inst. Yadernoj Fiziki Akademii Nauk Respubliki Uzbekistan, Tashkent, Ulugbek (Uzbekistan)
Description
The change in the concentration of the charge carriers in a compensated silicon under the γ-ray irradiation is investigated. It has been found that than carrier removal rate in the compensated silicon is lower than that of control samples. A new mechanism resulting in the radiation stability of electrophysical properties of the compensated silicon is discussed. The decreasing of the charge carrier removal rate under the exposure of γ-quanta can be explained by the radiation amplification of fluctuation barriers between low- and high-ohmic ranges and the intensification of the departure of the part of generating defects to drains in the compensated silicon with deep levels
Abstract (Russian)
Исследуется изменение концентрации носителей заряда в компенсированном кремнии под воздействием облучения γ-квантами. Обнаружено, что скорость удаления носитей заряда в компенсированном кремнии меньше, чем в контрольном образце. Обсуждается новый механизм, обусловливающий стабильность электрофизических свойств компенсированного кремния. Снижение скорости удаления носителей заряда под действием γ-квантов можно объяснить радиационным усилением флуктуационных барьеров между низко- и высокоомной областями и усилением ухода части образующихся дефектов на стоки в компенсированном кремнии с глубокими уровнямиAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- К вопросу о стабилизации электрофизических свойств в компенсированном кремнии при облучении γ-квантами
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 35
- Journal Issue
- 3
- Journal Page Range
- p. 317-320
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 34045494
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- CARRIER MOBILITY; CRYSTAL DEFECTS; DIAGRAMS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; GAMMA RADIATION; N-TYPE CONDUCTORS; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; SILICON; STABILITY
- Descriptors DEC
- CRYSTAL STRUCTURE; ELECTRICAL PROPERTIES; ELECTROMAGNETIC RADIATION; ELEMENTS; INFORMATION; IONIZING RADIATIONS; MATERIALS; MOBILITY; PHYSICAL PROPERTIES; RADIATION EFFECTS; RADIATIONS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SEMIMETALS
Optional Information
- Notes
- 16 refs., 2 figs., 1 tab.