Published October 2006 | Version v1
Journal article Metadata-only

Study of temperature dependence of threshold characteristics in semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers based on submonolayer InGaAs quantum dots

Creators

  • 1. Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe RAN, Sankt-Peterburg (Russian Federation)

Description

The temperature dependence of threshold current for vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) based on sub-monolayer deposited InGaAs quantum dots was studied. The spectral misalignment between the lasing wavelength and the peak gain of active region (detuning) should be used in order to describe the thermal characteristics of laser diodes. Expressions for the temperature dependence of the VCSEL threshold current, which take into account the drop in maximum gain with temperature and the influence of the temperature dependence of detuning, have been proposed

Abstract (Russian)

Экспериментально исследована температурная зависимость порогового тока для полупроводникового вертикально излучающего лазера на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек. Продемонстрировано, что для описания температурных характеристик следует использовать величину рассогласования между длиной волны генерации и максимумом спектра усиления (расстройку). Предложена форма описания температурной зависимости порогового тока вертикально излучающего лазера, учитывающая не только падение максимального усиления активной области с температурой, но и влияние температурной зависимости расстройки

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Экспериментальное исследование температурной зависимости пороговых характеристик в полупроводниковых вертикально излучающих лазерах на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек
Augmented title (English)
threshold current

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
40
Journal Issue
10
Journal Page Range
p. 1264-1269
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
39021449
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Descriptors DEI
AMPLIFICATION; CURRENT DENSITY; ELECTRIC CURRENTS; EMISSION SPECTRA; GALLIUM ARSENIDES; INDIUM ARSENIDES; LASER RADIATION; QUANTUM DOTS; SEMICONDUCTOR LASERS; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0013-0065 K; THRESHOLD ENERGY
Descriptors DEC
ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; CURRENTS; ELECTROMAGNETIC RADIATION; ENERGY; GALLIUM COMPOUNDS; INDIUM COMPOUNDS; LASERS; NANOSTRUCTURES; PNICTIDES; RADIATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOLID STATE LASERS; SPECTRA; TEMPERATURE RANGE

Optional Information

Notes
14 refs., 5 figs.