Published February 2001 | Version v1
Journal article Metadata-only

Photoluminescence of nanostructured a-Si system with c-Si nanoinclusions produced by method of Si monocrystalline silicon irradiation with heavy ions

Creators

  • 1. Nauchno-Issledovatel'skij Fiziko-Tekhnicheskij Inst. Nizhegorodskogo Gosudarstvennogo Univ. im. N.I. Lobachevskogo, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)
  • 2. Inst. Fiziki Mikrostruktur RAN, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)
  • 3. Nizhegorodskij Gosudarstvennyj Univ. im. N.I. Lobachevskogo, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

Description

The luminescence properties of the silicon surface layer, irradiated by the Kr+ ions with the energy of 80 keV, are studied. The dose interval was chosen with an account of providing the creation of the two-phase system layers - the silicon nanocrystals in the a-Si matrix - on the basis of overlapping the amorphous areas. It is established that the layers have photoluminescence (PL) at the room temperature. The effect of the dose annealing temperature on the PL spectrum is studied

Abstract (Russian)

Исследованы люминесцентные свойства поверхностного слоя кремния, облученного ионами Kr+ с энергией 80 кэВ. Интервал доз выбирался с таким расчетом, чтобы обеспечить создание слоев двухфазной системы - нанокристаллы кремния в матрице a-Si - за счет перекрытия аморфных областей. Установлено, что слои обладают фотолюминесценцией (ФЛ) при комнатной температуре. Исследовано влияние дозы, температуры отжига и температуры измерений на спектры ФЛ

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Фотолюминесценция системы а-Си с нановключениями c-Си, полученной методом облучения монокристаллического кремния тяжелыни ионами

Publishing Information

Journal Title
Izvestiya Akademii Nauk. Rossijskaya Akademiya Nauk. Seriya Fizicheskaya
Journal Volume
65
Journal Issue
2
Journal Page Range
p. 292-294
ISSN
1026-3489
CODEN
IRAFEO

Conference

Title
International workshop on nanofotoniks
Original Conference Title
Mezhdunarodnoe soveshchanie po nanofotonike
Dates
20-23 Mar 2000
Place
Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
33013082
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Resource subtype / Literary indicator
Conference
Descriptors DEI
ANNEALING; EMISSION SPECTRA; ION IMPLANTATION; KRYPTON IONS; MONOCRYSTALS; PHOTOLUMINESCENCE; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; RADIATION DOSES; SILICON; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K
Descriptors DEC
CHARGED PARTICLES; CRYSTALS; DOSES; ELEMENTS; EMISSION; HEAT TREATMENTS; IONS; LUMINESCENCE; PHOTON EMISSION; RADIATION EFFECTS; SEMIMETALS; SPECTRA; TEMPERATURE RANGE

Optional Information

Notes
7 refs., 3 figs., 1 tab.