Published November 2007
| Version v1
Journal article
Controlled growth of CsI(Tl) single crystals
Creators
- 1. Tsentr Teplofizicheskikh Issledovanij Termo, Aleksandrov (Russian Federation)
- 2. Nauchno-Proizvodstvennaya Firma TAPAL, Moscow (Russian Federation)
Description
CsI(Tl) crystals have been grown by the axial-heat-flux-close-to-the-phase-interface (AHP) method in a purpose-designed apparatus at an argon overpressure. The furnace and crystallizer of the apparatus have been designed to ensure considerable (5 to 100 K/cm) axial and low (1 K/cm, maximum) radial temperature gradients at the growth interface. The effects of the melt layer thickness, temperature gradient, and activator concentration in the melt on the crystal quality have been studied. The results demonstrate that reducing the AHP heater temperature for even a short time (by 2 deg C in 3 min) markedly raises the actual growth rate, from 2 to 15 mm/h, and leads to entrapment of bubbles of various diameters and TlI inclusions
Abstract (Russian)
Разработана установка и выращены кристаллы CsI(Tl) методом осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации (ОТФ-методом) в среде аргона с избыточным давлением. Конструкции теплового узла и кристаллизатора обеспечивают создание значительных аксиальных (от 50 до 100 К/см) и малых радиальных (не более 1 К/см) градиентов температуры на фронте кристаллизации. Изучено влияние изменения толщины слоя расплава, градиента температуры и концентрации активатора в расплаве на качество кристалла. Показано, что даже кратковременное снижение температуры на ОТФ-нагревателе (на 2 град С за 3 мин) приводит к значительному изменению реальной скорости роста (с 2 до 15 мм/ч) и захвату пузырей различного диаметра и включений ТlIAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Выращивание монокристаллов CsI(Тл) при контролируемых условиях
Publishing Information
- Journal Title
- Neorganicheskie Materialy
- Journal Volume
- 43
- Journal Issue
- 11
- Journal Page Range
- p. 1401-1408
- ISSN
- 0002-337X
- CODEN
- NEOMB8
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 39052412
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Descriptors DEI
- CESIUM IODIDES; CRYSTAL GROWTH; CRYSTAL GROWTH METHODS; DOPED MATERIALS; MONOCRYSTALS; TEMPERATURE GRADIENTS; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K; THALLIUM IODIDES
- Descriptors DEC
- ALKALI METAL COMPOUNDS; CESIUM COMPOUNDS; CRYSTALS; HALIDES; HALOGEN COMPOUNDS; INORGANIC PHOSPHORS; IODIDES; IODINE COMPOUNDS; MATERIALS; PHOSPHORS; TEMPERATURE RANGE; THALLIUM COMPOUNDS; THALLIUM HALIDES
Optional Information
- Notes
- 13 refs., 9 figs.