Published May 2007 | Version v1
Journal article

High-frequency semiconductor generator of high-voltage nanosecond pulses

  • 1. Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe RAN, Sankt-Peterburg (Russian Federation)

Description

Paper describes an abrupt recovery drift diode assembly base high-frequency generator for the high-voltage nanosecond pulses. Paper describes a shaper of the direct and the back currents of the drift diodes on the basis of the parallel transistor circuits. Paper dwells upon the generator test results. When the load was equal to 50 Ohm one obtained the voltage pulses with 2.5 kV amplitude and 2 ns duration at 300 kHz pulse repetition frequency

Abstract (Russian)

Описан высокочастотный генератор высоковольтных наносекундных импульсов на основе сборки дрейфовых диодов с резким восстановлением. Приведена схема формирования прямого и обратного токов дрейфовых диодов с использованием параллельных транзисторных цепей. Приведены результаты испытаний генератора. На нагрузке 50 Ом получены импульсы напряжения с амплитудой 2.5 кВ и длительностью 2 нс при частоте повторения импульсов 300 кГц

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Высокочастотный полупроводниковый генератор высоковольтных наносекундных импульсов

Publishing Information

Journal Title
Pribory i Tekhnika Ehksperimenta
Journal Issue
no.3
Journal Page Range
p. 75-77
ISSN
0032-8162
CODEN
PRTEAJ

Optional Information

Notes
3 refs., 2 figs.