Published July 2004
| Version v1
Journal article
Electrical active center formation in the electron irradiated silicon annealed in the temperature range of 400-700 Deg C
- 1. Yakutskij Gosudarstvennyj Univ., Yakutsk (Russian Federation)
- 2. Inst. Fiziki Poluprovodnikov Sibirskogo Otdeleniya Rossijskoj Akademii Nauk, Novosibirsk (Russian Federation)
Description
Effect of the electron irradiation on thermal donor formation in silicon has been studied. The formation of areas with p- and n-type conductivity in the volume of monocrystalline silicon is observed after electron irradiation and annealing at 450 Deg C. An increase in the electron dose and in the annealing time leads to an increment in electron and hole concentrations. The heterogeneity of distribution of acceptor and donor centers correlates with functions in concentration of oxygen into silicon
Abstract (Russian)
Изучено влияние облучения электронами на формирование термодоноров в кремнии. Обнаружено образование областей n- и р-типа проводимости в объеме монокристаллического кремния, облученного электронами и отожженного при температуре 450 град С. Концентрации носителей в областях обоих типов проводимости возрастают с увеличением дозы облучения и времени отжига. Неоднородность распределения акцепторных и донорных центров коррелирует с флуктуациями в концентрации кислорода в кремнииAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Формирование электрически активных центров в кремнии, облученном электронами, в интервале температур 400-700 град C
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 38
- Journal Issue
- 7
- Journal Page Range
- p. 791-795
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 37011361
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- ANNEALING; CHARGE CARRIERS; CRYSTAL DEFECTS; ELECTRON BEAMS; MONOCRYSTALS; N-TYPE CONDUCTORS; P-TYPE CONDUCTORS; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; RADIATION DOSES; SILICON; SPATIAL DISTRIBUTION; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K; TIME DEPENDENCE
- Descriptors DEC
- BEAMS; CRYSTAL STRUCTURE; CRYSTALS; DISTRIBUTION; DOSES; ELEMENTS; HEAT TREATMENTS; LEPTON BEAMS; MATERIALS; PARTICLE BEAMS; RADIATION EFFECTS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SEMIMETALS; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 14 refs., 5 figs.