Published June 2006 | Version v1
Journal article Metadata-only

Etching of ion tracks in amorphous silicon dioxide

Creators

  • 1. Belorusskij Gosudarstvennyj Univ., Minsk (Belarus)
  • 2. Ob''edinennyj Inst. Yadernykh Issledovanij, Dubna (Joint Institute for Nuclear Research (JINR))

Description

For the purpose to create nanostructures in a SiO2 layer the irradiation of SiO2/Si structures by fast ion beams of 40 Ar (290 MeV) and 84 Kr (253 MeV) is carried out. The results of investigation of nanoporous SiO2 layers on silicon obtained by etching of ion tracks is presented. It is found out that pores with the diameter of 10-15 nm and the length-to-diameter ratio up to 22 are shaped in SiO2 layers of silicon substrates irradiated by krypton ion beam. The calculation of particle tracks generation in amorphous SiO2 based on the modified model of the thermal cycle is fulfilled

Abstract (Russian)

С целью создания наноструктур в слое SiO2 проведено облучение структур SiO2/Si быстрыми ионами 40 Ar (290 МэВ) и 84 Kr (253 МэВ). Представлены результаты исследования нанопористых слоев SiO2 на кремнии, полученных травлением ионных треков. Установлено, что в слоях SiO2 кремниевых подложек, облученных криптоном, формируются поры с диаметром 10-15 нм и соотношением длина/диаметр до 22. Выполнен расчет процесса образования треков в аморфном SiO2 на базе модифицированной модели термического цикла

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Травление ионных треков в аморфном диоксиде кремния

Publishing Information

Journal Title
Izvestiya Akademii Nauk. Rossijskaya Akademiya Nauk. Seriya Fizicheskaya
Journal Volume
70
Journal Issue
6
Journal Page Range
p. 799-801
ISSN
1026-3489
CODEN
IRAFEO

Conference

Title
XVII International conference Ion-surface interaction
Original Conference Title
XVII Mezhdunarodnaya konferentsiya Vzaimodejstvie ionov s poverkhnost'yu (VIP-2005)
Dates
Aug 2005
Place
Zvenigorod (Russian Federation)

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
38046759
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Resource subtype / Literary indicator
Conference, Numerical Data
Descriptors DEI
AMORPHOUS STATE; ARGON 40 BEAMS; ETCHING; EXPERIMENTAL DATA; KRYPTON 84 BEAMS; MEV RANGE 100-1000; NANOSTRUCTURES; PARTICLE TRACKS; PORE STRUCTURE; SILICA; SILICON; TEMPERATURE GRADIENTS; TEMPERATURE RANGE 0273-0400 K; THEORETICAL DATA
Descriptors DEC
BEAMS; DATA; ELEMENTS; ENERGY RANGE; INFORMATION; ION BEAMS; MEV RANGE; MICROSTRUCTURE; MINERALS; NUMERICAL DATA; OXIDE MINERALS; SEMIMETALS; SURFACE FINISHING; TEMPERATURE RANGE

Optional Information

Notes
15 refs., 3 figs.