Published December 2007
| Version v1
Journal article
Effect of thermal oxidation on the electrical conductivity and photoresponse of In2O3/CuInSe2 structures
- 1. DNTs RAN, Inst. Fiziki, Makhachkala (Russian Federation)
Description
Thermal annealing of CuInSe2 crystals in oxygen has been used to produce photosensitive, rectifying In2O3/CuInSe2 structures. The optimum annealing temperature and time are 600-650 K and 40-60 min, respectively. The In2O3/CuInSe2 structures prepared by thermal oxidation at an oxygen pressure of 1.5-2 Pa and 600 K manifest their photosensitivity in the visible spectral region and rectifying properties enhancing with the growth of oxide layer thickness. Stoichiometric variance of In2O3 films towards lesser oxygen content, down to InO1.1-1.2, results in an increase in electric conductivity and changes, but slightly, their transparency while retaining their good adhesion properties
Abstract (Russian)
Изучен термический отжиг кристаллов CuInSe2 в кислороде, приводящий к образованию фоточувствительной выпрямляющей структуры In2О3/CuInSe2. Оптимальные температуры отжига составляют 600-650 К, время - от 40 до 60 мин. Структуры In2O3/CuInSe2, полученные методом термического окисления при давлениях кислорода 1.5-2 Па и температуре 600 К, обладают фоточувствительностью в видимой области спектра и выпрямлением, которое возрастает с ростом толщины оксидного слоя. Отклонения от стехиометрии в пленках In2О3 в сторону уменьшения кислорода до InO1.1-1.2 повышают электропроводность пленок и мало изменяют их прозрачность с сохранением хорошей адгезииAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Влияние термического окисления на электропроводност' и фоточувствительност' структур Ин
Publishing Information
- Journal Title
- Neorganicheskie Materialy
- Journal Volume
- 43
- Journal Issue
- 12
- Journal Page Range
- p. 1424-1428
- ISSN
- 0002-337X
- CODEN
- NEOMB8
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 39078823
- Subject category
- S37: INORGANIC, ORGANIC, PHYSICAL AND ANALYTICAL CHEMISTRY;
- Descriptors DEI
- ADHESION; ANNEALING; COPPER SELENIDES; ELECTRIC CONDUCTIVITY; FILMS; HETEROJUNCTIONS; INDIUM OXIDES; INDIUM SELENIDES; OXIDATION; OXYGEN; PHOTOSENSITIVITY; STOICHIOMETRY; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K
- Descriptors DEC
- CHALCOGENIDES; CHEMICAL REACTIONS; COPPER COMPOUNDS; ELECTRICAL PROPERTIES; ELEMENTS; HEAT TREATMENTS; INDIUM COMPOUNDS; NONMETALS; OXIDES; OXYGEN COMPOUNDS; PHYSICAL PROPERTIES; SELENIDES; SELENIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SENSITIVITY; TEMPERATURE RANGE; TRANSITION ELEMENT COMPOUNDS
Optional Information
- Notes
- 12 refs., 5 figs.