Published November 2001 | Version v1
Journal article

The structure of Ta films and Ta/Fe bilayers and multilayers

  • 1. Daugavpilsskij Pedagogicheskij Univ., Daugavpils (Latvia)

Description

The results of crystalline structure investigations of Ta films and Ta/Fe bilayers and multilayers on glass substrates are presented. The layers were deposited by sputtering in Penning discharge at substrate temperature near to room one. It was found that formation of bcc- and β-(tetragonal) Ta phases occurs during Ta layers deposition with preferred {110} and {100} orientation of lattice planes parallel to the substrate surface correspondingly. In Ta/Fe multilayers with Ta layer thickness of 20 nm and 40 nm β-Ta prevails. In Ta films with thickness t > 160 nm bcc phase prevails. The average coherent domain size in Ta/Fe multilayers (in direction perpendicular to the substrate surface) is near to Ta layer thickness. In Ta films with t > 160 nm the average domain size exceeds 100 nm. X-ray diffraction studies of bcc- Ta indicate a compressive stress of 6.5x108 N/m2-1.7x109 N/m2 in the plane of the films

Abstract (Russian)

Исследована структура пленок Та и Та/Fe на подложках из стекла. Слои наносились методом ионного распыления в разряде Пеннинга при температурах подложки, близких к комнатной. Установлено, что при нанесении слоев Та происходит образование ОЦК- и тетрагональной фаз Та с преимущественной ориентацией плоскостей {110} и {100}, параллельно поверхности подложки, соответственно. В многослойных системах Ta/Fe с толщиной слоев Та 20 и 40 нм преобладает β-фаза. При толщине более 160 нм преобладающей становится ОЦК-фаза. В многослойных системах Ta/Fe размер блоков когерентного рассеяния порядка толщины слоя Та. В пленках Та толщиной 160 нм и более размер блоков (в направлении нормали к подложке) превосходит 100 нм. Сжимающие напряжения в плоскости пленок для ОЦК-Та находятся в пределах 6,5х108-1,7х109 Н/м2

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Структура пленок Та, двухслойных и многослойных систем Та/Фе

Publishing Information

Journal Title
Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
Journal Issue
no.11
Journal Page Range
p. 33-37
ISSN
1028-0960

Optional Information

Notes
12 refs.; 4 tabs.; 2 figs.