Published August 2005
| Version v1
Journal article
Modification of potential of the silicon surface under ion plasma treatment of Si*-SiO2-Si structures
Creators
- 1. Zaporozhskij Inst. Gosudarstvennogo i Munitsipal'nogo Upravleniya (Gumanitarnyj Univ.), Zaporozh'e (Ukraine)
Description
A charging effect is studied during ion-chemical etching and ion alloying of Si*-SiO2-Si, SiO2-Si structures as well as the effect of distorted layer formation under ion treatment of monocrystalline (Si) and polycrystalline (Si*) silicon. The modification of material layers charging is investigated using test structures. The given technique is applied to detect the depth of distorted layers and the potential of silicon composition films through changes of test structure parameters on ion processing
Abstract (Russian)
Исследованы эффекты зарядки при ионно-химическом травлении и ионном легировании структур Si*-SiO2-Si, SiO2-Si и образования нарушенного слоя при ионной обработке монокристаллического (Si) и поликристаллического (Si*) кремния. Модификация заряда слоев материала при ионной обработке исследовалась при помощи тестовых структур. Данная методика применена для нахождения глубины нарушенных слоев и потенциала пленок кремниевых композиций по контролю изменений параметров тестовых структур в процессе ионной обработкиAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Изменение потенциала поверхности кремния при ионно-плазменных обработках структур Си*-SiO
Publishing Information
- Journal Title
- Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
- Journal Issue
- no.8
- Journal Page Range
- p. 101-105
- ISSN
- 1028-0960
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 38029583
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Descriptors DEI
- BORON ISOTOPES; CHARGE STATES; ELECTRIC CHARGES; ELECTRIC POTENTIAL; ETCHING; FLUX DENSITY; ION BEAMS; ION IMPLANTATION; LAYERS; MONOCRYSTALS; POLYCRYSTALS; RADIATION EFFECTS; RADIATION FLUX; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SILICON; SILICON OXIDES
- Descriptors DEC
- BEAMS; CHALCOGENIDES; CRYSTALS; ELEMENTS; ISOTOPES; OXIDES; OXYGEN COMPOUNDS; SEMIMETALS; SILICON COMPOUNDS; SURFACE FINISHING
Optional Information
- Notes
- 7 refs., 4 figs.