Published October 2001
| Version v1
Journal article
Application of genetic algorithm for strain profile reconstruction in ion implanted GaAs substrates
- 1. Moskovskij Gosudarstvennyj Inst. Stali i Splavov (Tekhnologicheskij Univ.), Moscow (Russian Federation)
Description
The optimization procedure of strain profile reconstruction for X-ray diffraction pattern based on a genetic algorithm is considered taking as an example of GaAs substrate doped by Se+ ions with the dose of 1x1014 cm2 and the energy of 150 keV. It is shown that a significance of χ2 criterion depends on accuracy of measurements especially for small intensities. To get the detailed information about strain profile the measurements must be done using a triple crystal arrangement that allows one to separate smooth incoherent component of X-ray scattering from coherent one
Abstract (Russian)
Рассмотрена оптимизационная процедура восстановления профиля деформации по рентгенодифракционной кривой, постренная на основе генетического алгоритма, которая демонстрируется на примере подложки GaAs, имплантированной ионами Se+ с дозой 1x1014 ат/см2 и энергией 150 кэВ. Показано, что значимость критерия χ2 определяется точностью измерения кривой качания, особенно в области слабых интенсивностей. Для получения детальной информации о профиле деформации целесообразно проводить измерения в трехкристальной схеме, чтобы отделить некогерентную плавно меняющуюся компоненту рассеяния от когерентнойAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Применение генетического алгоритма для восстановления профиля деформации в ионно-имплантированных подложках GaAs
Publishing Information
- Journal Title
- Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
- Journal Issue
- no.10
- Journal Page Range
- p. 74-78
- ISSN
- 1028-0960
Conference
- Title
- 9. National conference on crystal growth
- Original Conference Title
- IX Natsional'naya konferentsiya po rostu kristallov
- Dates
- 16-21 Oct 2000
- Place
- Moscow (Russian Federation)
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 34045401
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Resource subtype / Literary indicator
- Conference
- Descriptors DEI
- ALGORITHMS; COMPARATIVE EVALUATIONS; CRYSTALS; DEPTH; GALLIUM ARSENIDES; ION IMPLANTATION; SELENIUM IONS; SPATIAL DISTRIBUTION; STRAINS; X-RAY DIFFRACTION
- Descriptors DEC
- ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; CHARGED PARTICLES; COHERENT SCATTERING; DIFFRACTION; DIMENSIONS; DISTRIBUTION; EVALUATION; GALLIUM COMPOUNDS; IONS; MATHEMATICAL LOGIC; PNICTIDES; SCATTERING
Optional Information
- Notes
- 9 refs.; 1 tab.; 3 figs.