Published October 2002
| Version v1
Journal article
Electrophysical properties and electronic structure of tin-doped antimony telluride
- 1. Inst. Ehlektroniki NAN Belarusi, Minsk (Belarus)
- 2. Sankt-Peterburgskij Gosudarstvennyj Tekhnicheskij Univ., Sankt-Peterburg (Russian Federation)
- 3. Inst. Metallurgii i Materialovedeniya im. A.A. Bajkova RAN, Moscow (Russian Federation)
Description
One investigated into effect of Sn atoms on electrophysical properties and X-ray photoelectron spectra of Sb2Te3 single crystals grown by the Czochralski method. The nature of temperature dependences of kinetic coefficients is shown to be essentially governed by the structure of the valence band consisting of two valence subbands. The evaluated values of the efficient mass of density of states of holes and gap between the extremes of the valence band in Sb2Te3:Sn are consistent with data for tin unalloyed Sb2Te3
Abstract (Russian)
Исследовано влияние атомов Sn на электрофизические свойства и рентгеновские фотоэлектронные спектры монокристаллов Sb2Te3, выращенных методом Чохральского. Показано, что характер температурных зависимостей кинетических коэффициентов существенным образом определен строением валентной зоны, состоящей их двух валентных подзон. Сделанные оценки значений эффективных масс плотности состояний дырок и зазора между экстремумами валентной зоны в Sb2Te3:Sn согласуются с данными для нелегированного оловом Sb2Te3Additional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Электрофизические свойства и электронная структура теллурида сурьмы, легированного оловом
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika Tverdogo Tela
- Journal Volume
- 44
- Journal Issue
- 10
- Journal Page Range
- p. 1766-1769
- ISSN
- 0367-3294
- CODEN
- FTVTAC
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 35046265
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- ANTIMONY TELLURIDES; BAND THEORY; CZOCHRALSKI METHOD; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRONIC STRUCTURE; HALL EFFECT; NERNST EFFECT; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; SEEBECK EFFECT; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K; TEMPERATURE RANGE 0273-0400 K; TIN ADDITIONS; VALENCE; X-RAY SPECTRA
- Descriptors DEC
- ALLOYS; ANTIMONY COMPOUNDS; CHALCOGENIDES; CRYSTAL GROWTH METHODS; ELECTRICAL PROPERTIES; ELECTRON SPECTROSCOPY; PHYSICAL PROPERTIES; SPECTRA; SPECTROSCOPY; TELLURIDES; TELLURIUM COMPOUNDS; TEMPERATURE RANGE; TIN ALLOYS
Optional Information
- Notes
- 10 refs., 2 figs.