Influence of isotopic disorder on phonon carrying effect in Ge
- 1. RNTs Kurchatovskij Inst., Moscow (Russian Federation)
- 2. Univ. of California at Berkeley and Lawrence Lab., Berkeley (United States)
Description
The measurements of thermoelectromotive force of the Ge crystals with three different isotopic compositions - natural, enriched up to 96.6 % and 99.99 % by the 70Ge isotope are given. The high pure n- and p-Ge monocrystals with the residual concentration of the impurities /Nd-Na/ < 1014 cm-3 was used. Obtained experimental data for the 10 - 300 K temperature range strongly reveals increasing thermoelectromotive force with the reduction of the isotopic disorder degree that corresponds qualitatively with theoretical views. The observed effect appears in the field of lower than 70 K, where thermoelectromotive force is determined by the phonon carrying effect. In the field of high temperatures the diffusion component of the thermoelectromotive force depending on the alloying and zone parameters of the semiconductor prevails, and the correlation with the isotopic composition is not observed
Abstract (Russian)
Проведены измерения термоэдс кристаллов Ge с тремя различными изотопическими составами - природный, обогащенный до 96.6 % и 99.99 % по изотопу 70Ge. Использовались монокристаллы высокочистого n- и p-Ge с остаточной концентрацией примесей /Nd-Na/ < 1014 cм-3. Полученные экспериментальные данные для диапазона температур 10 - 300 K убедительно демонстрируют увеличение термоэдс с уменьшением степени изотопического беспорядка, что качественно совпадает с теоретическими представлениями. Наблюдаемый эффект проявляется в области темеператур ниже 70 К, где термоэдс определяется эффектом фононного увлечения. В области высоких температур доминирует диффузионная компонента термоэдс, зависящая от степени легирования и зонных параметров полупроводника, и корреляции с изотопическим составом не наблюдаетсяFiles
34068131.pdf
Files
(330.1 kB)
| Name | Size | Download all |
|---|---|---|
|
md5:841343e3ac5570f22a4aa959a104be38
|
330.1 kB | Preview Download |
System files
(15.4 kB)
| Name | Size | Download all |
|---|
Additional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Влияние изотопического беспорядка на эффект фононного увлечения в Ге
Publishing Information
- Publisher
- TsNIIatominform
- Imprint Place
- Moscow (Russian Federation)
- Imprint Title
- 4. All-Russian (international) scientific conference. Physicochemical processes during selection of atoms and molecules. Collection of reports
- Imprint Pagination
- 271 p.
- Journal Page Range
- p. 243-245
- Report number
- INIS-RU--465
Conference
- Title
- 4. All-Russian (international) scientific conference. Physicochemical processes during selection of atoms and molecules
- Original Conference Title
- 4. Vserossijskaya (mezhdunarodnaya) nauchnaya konferentsiya. Fiziko-khimicheskie protsessy pri selektsii atomov i molekul
- Dates
- 4-8 Oct 1999
- Place
- Zvenigorod (Russian Federation)
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 34068131
- Subject category
- S37: INORGANIC, ORGANIC, PHYSICAL AND ANALYTICAL CHEMISTRY;
- Resource subtype / Literary indicator
- Conference
- Descriptors DEI
- ELECTROMOTIVE FORCE; GERMANIUM; GERMANIUM 70; ISOTOPE RATIO; ISOTOPE SEPARATION; MONOCRYSTALS; N-TYPE CONDUCTORS; P-TYPE CONDUCTORS; PHONONS; TEMPERATURE RANGE 0000-0013 K; TEMPERATURE RANGE 0013-0065 K; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K; TEMPERATURE RANGE 0273-0400 K; THERMODYNAMIC PROPERTIES
- Descriptors DEC
- CRYSTALS; ELEMENTS; EVEN-EVEN NUCLEI; GERMANIUM ISOTOPES; INTERMEDIATE MASS NUCLEI; ISOTOPES; MATERIALS; METALS; NUCLEI; PHYSICAL PROPERTIES; QUASI PARTICLES; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SEPARATION PROCESSES; STABLE ISOTOPES; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 7 refs.; 1 tab.; 2 figs. Imprint:4. Vserossijskaya (mezhdunarodnaya) nauchnaya konferentsiya. Fiziko-khimicheskie protsessy pri selektsii atomov i molekul. Sbornik dokladov