Published October 26, 2001
| Version v1
Journal article
Dependence of the depth distribution of implanted silver ions on the temperature of irradiated glass
Creators
- 1. Kazanskij Fiziko-Tekhnicheskij Inst. RAN, Kazan' (Russian Federation)
- 2. Inst. Fiziki 1, Tekhnicheskij Univ. Aakhena, Aakhen (Germany)
Description
The peculiarities of the glass ion implantation by the silver ions in dependence on the substrate temperature within the interval of 20-100 deg C are studied. Modeling the profiles of the implanted ions distribution in depth with an account of the thermostimulated increase in the admixture diffusion mobility is carried out. It is shown, that increase in the substrate temperature leads to the diffusion wash-out of the introduced admixture ions distribution. The analysis of the modeling results indicates the necessity of strict control of the substrate temperature by the dielectrics implantation for obtaining the conditions for the metal nanoparticles synthesis
Abstract (Russian)
Исследуются особенности ионной имплантации стекла ионами серебра в зависимости от температуры подложки в интервале 20-100 град С. Проведено моделирование профилей распределения имплантированных ионов по глубине с учетом термостимулированного увеличения диффузионной подвижности примеси. Показано, что повышение температуры подложки приводит к диффузионному размытию распределения внедренных примесных ионов. Анализ результатов моделирования указывает на необходимость строгого контроля температуры подложки при имплантации диэлектриков для достижения условий синтеза металлических наночастицAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Зависимость распределения имплантированных ионов серебра по глубине от температуры облучаемого стекла
Publishing Information
- Journal Title
- Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki
- Journal Volume
- 27
- Journal Issue
- 20
- Journal Page Range
- p. 39-45
- ISSN
- 0320-0116
- CODEN
- PZTFDD
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 34045437
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- COMPUTERIZED SIMULATION; DEPTH; ENERGY DEPENDENCE; GLASS; ION IMPLANTATION; KEV RANGE 10-100; SILVER IONS; SPATIAL DISTRIBUTION; SUBSTRATES; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K
- Descriptors DEC
- CHARGED PARTICLES; DIMENSIONS; DISTRIBUTION; ENERGY RANGE; IONS; KEV RANGE; SIMULATION; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 10 refs., 1 fig.