High rate sputtering and its effective utilization
Description
In order to achieve a fast deposition rate by means of sputtering a planar magnetron cathode is used. Due to the toroidal magnetic field of the magnetron cathode the secondary electrons remain in the vicinity of the target face and at the same time increase their path length as a result of travelling in a cycloidal motion through the magnetic field. This results in an increase in the ion population and in high rate sputtering. Advantageous is also the markedly reduced substrate temperature through electron bombardment. In order to achieve a uniform film thickness a rectangular magnetron cathode is chosen, which favors the use as linear source. The deposition rates to be achieved for metals run at 1-2 μm/min. Magnetic materials, such as iron and nickel cannot be used as they shunt the magnetic field. (ORU/LN)
Abstract (German)
Zur Erzielung hoher Aufdampfraten durch Sputtern wird eine ebene Magnetronkathode verwendet. Durch das toroidale Magnetfeld der Magnetronkathode werden die sekundaeren Elektronen nahe der Targetoberflaeche gehalten und gleichzeitig ihre Weglaengen infolge der durch das Magnetfeld erzwungenen zykloidalen Bewegung betraechtlich vergroessert. Damit steigt Bildung von positiven Ionen ganz enorm an und fuehrt zu wesentlich hoeheren Sputterraten. Vorteilhaft ist auch die geringe thermische Aufheizung des Substrats durch Elektronenbeschuss. Um eine gleichmaessige Beschichtung zu erreichen, wird eine rechteckige Form der ebenen Magnetronkathode gewaehlt womit in erster Linie eine Benutzung als lineare Quelle in Frage kommt. Die erreichbaren Aufdampfraten liegen fuer Metalle bei 1-2 μm pro min. Magnetische Materialien wie Eisen oder Nickel koennen nicht verwendet werden, da sie das Magnetfeld kurzschliessen. (ORU)Additional details
Publishing Information
- Imprint Pagination
- 9 p.
- Report number
- AED-Conf--75-306-003
Conference
- Title
- Meeting on the German ISHM on new developments in the technology of thin films for hybrid connections.
- Dates
- 18 Jun 1975.
- Place
- Muenchen, F.R. Germany.
INIS
- Country of Publication
- Germany
- Country of Input or Organization
- Germany
- INIS RN
- 6213401
- Subject category
- S07: ISOTOPES AND RADIATION SOURCES; S36: MATERIALS SCIENCE;
- Resource subtype / Literary indicator
- Conference, Non-conventional Literature
- Descriptors DEI
- CATHODES; DEPOSITION; ECONOMICS; ELECTRONS; FILMS; IONIZATION; MAGNETIC FIELD CONFIGURATIONS; MAGNETRONS; SPUTTERING; VAPOR PLATING
- Descriptors DEC
- ELECTRODES; ELECTRON TUBES; ELECTRONIC EQUIPMENT; ELEMENTARY PARTICLES; FERMIONS; LEPTONS; MICROWAVE EQUIPMENT; MICROWAVE TUBES; PLATING; SURFACE COATING
Optional Information
- Notes
- 5 figs. Available from ZAED.