Published June 2004 | Version v1
Journal article Metadata-only

Investigation of properties of photovoltaic X-ray detectors based on epitaxial GaAs structures

Creators

  • 1. RAN, Inst. Radiotekhniki i Ehlektroniki, Fryazinskoe Otdelenie, Fryazino, Moskovskaya Obl. (Russian Federation)

Description

Paper presents the results for a new GaAs epitaxial structure base photovoltaic detector operating without bias voltage and at room temperature and examined under the effect of bremsstrahlung X-ray radiation. On the basis of detector photoresponse one calculated the efficiency of absorbed energy conversion into short-circuit current within 12--120 keV photon energy range. The maximum value of conversion efficiency in GaAs for bremsstrahlung X-ray radiation occurs at 80 keV energy. To increase absorption of X-ray photons one suggested and calculated procedure of inclined irradiation of a thin 50 μm detector

Abstract (Russian)

Представлены результаты исследования под действием тормозного рентгеновского излучения нового фотовольтаического детектора на основе эпитаксиальных структур GaAs, работающего без напряжения смещения и при комнатной температуре. Из измерений фотоотклика детектора рассчитана эффективность преобразования поглощенной энергии в ток короткого замыкания в диапазоне энергий фотонов от 12 до 120 кэВ. Максимальное значение эффективности преобразования в GaAs для тормозного рентгеновского излучения находится при энергии 80 кэВ. Для увеличения поглощения рентгеновских фотонов предложена и рассчитана схема наклонного облучения тонкого 50 мкм детектора

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Исследование свойств фотовольтаических детекторов рентгеновского излучения на основе эпитаксиальных структур GaAs

Publishing Information

Journal Title
Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki
Journal Volume
74
Journal Issue
6
Journal Page Range
p. 126-128
ISSN
0044-4642
CODEN
ZTEFA3

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
37011265
Subject category
S46: INSTRUMENTATION RELATED TO NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY;
Descriptors DEI
BREMSSTRAHLUNG; EFFICIENCY; ENERGY DEPENDENCE; GALLIUM ARSENIDES; KEV RANGE 10-100; PHOTODETECTORS; PHOTOSENSITIVITY; PHOTOVOLTAIC EFFECT; X-RAY DETECTION
Descriptors DEC
ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; DETECTION; ELECTROMAGNETIC RADIATION; ENERGY RANGE; GALLIUM COMPOUNDS; KEV RANGE; PHOTOELECTRIC EFFECT; PNICTIDES; RADIATION DETECTION; RADIATIONS; SENSITIVITY

Optional Information

Notes
3 refs., 4 figs.