Published October 2003 | Version v1
Journal article Metadata-only

Formation of Si/Ge/Si heterostructures with quantum dots

Creators

  • 1. Inst. Fiziki Poluprovodnikov SO RAN, Novosibirsk (Russian Federation)

Description

It is present the Monte Carlo simulation of epitaxial embedding of faceted three-dimensional Ge islands (quantum dots) in a Si matrix. Under a Si flux these islands expand and undergo a shape change (from pyramidal to drop-like shape). The main expansion occurs at initial stage of embedding in Si (deposition of 1-2 monolayers). This change is controlled by surface diffusion. The shape of island can be preserved when one uses the higher Si fluxes. The reason of island conservation lies in blocking of Ge surface diffusion

Abstract (Russian)

В работе методом вычислительного эксперимента проведено исследование эволюции атомной конфигурации наноостровков Ge на стадии их заращивания кремнием. Для типичных условий формирования квантовых точек в системе Si/Ge/Si(100) установлено, что при заращивании кремнием островки германия теряют огранку и приобретают более симметричную каплеобразную форму. Показано, что наибольшее размытие формы островка происходит на начальных стадиях заращивания кремнием (1-2 монослоя) и контролируется поверхностной диффузией Ge. При больших скоростях осаждения Si островок Ge сохраняет свою форму за счет блокировки поверхностной диффузии Ge

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Формирование гетероструктур Си/Ге/Си с квантовыми точками

Publishing Information

Journal Title
Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
Journal Issue
no.10
Journal Page Range
p. 20-24
ISSN
1028-0960

Conference

Title
10. National conference on crystal growth
Original Conference Title
X Natsional'naya konferentsiya po rostu kristallov
Dates
24-29 Nov 2002
Place
Moscow (Russian Federation)

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
35059968
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Resource subtype / Literary indicator
Conference
Descriptors DEI
COMPUTERIZED SIMULATION; EPITAXY; GERMANIUM; HETEROJUNCTIONS; IMAGES; MATHEMATICAL MODELS; MICROSTRUCTURE; QUANTUM ELECTRONICS; SILICON
Descriptors DEC
CRYSTAL GROWTH METHODS; ELEMENTS; METALS; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SEMIMETALS; SIMULATION

Optional Information

Notes
9 refs., 4 figs.