Formation and investigation of buried SiC layers with high content of radiation-induced defects
- 1. RAN, Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
- 2. Sankt-Peterburgskij Politekhnicheskij Univ., Sankt-Peterburg (Russian Federation)
Description
Protons with the energy 100 keV and doses ranging from 2 x 1017 to 4 x 1017 cm-2 have been implanted into the n-type 6H- and 4H-SiC samples at room temperature. The postimplantation sequential annealings of irradiated samples were performed in the 500-1500 deg C temperature range. Parameters of the samples were determined by the capacitance-voltage and current-voltage measurements, and by the photoluminescence technique. It was found that surface blistering appears after the postimplantation annealing at 800 deg C only in the case of proton implantation with doses ≤ 3 x 1017 cm-2. A decrease in the resistivity of the compensated layer begins after annealing at ∼ 1200 deg C and ends after annealing at 1500 deg C. After irradiation, the photoluminescence intensity decreases dramatically for all the samples. Recovery of the photoluminescence intensity starts after annealing at 800 deg C and is completed upon annealing at the temperature of 1500 deg C
Abstract (Russian)
Проведена имплантация протонов с энергией Е = 100 кэВ в диапазоне от 2 x 1017 до 4 x 1017 см-2 в 6H- и 4H-SiC n-типа проводимости при комнатной температуре. После имплантации выполнены различные типы отжигов в диапазоне температур 550-1500 град С. Параметры образцов контролировались методами вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик, фотолюминесценции. Обнаружен блистеринг поверхности образцов после отжига при температуре 800 град С только при имплантации протонов с дозой ≤ 3 x 1017 см-2. Уменьшение сопротивления компенсированного слоя начинается после отжига при температуре ∼ 1200 град С и заканчивается после отжига при температуре ∼ 1500 град C. После имплантации наблюдается резкое уменьшение интенсивности фотолюминесценции для всех типов образцов. Восстановление интенсивности фотолюминесценции образцов начинается после отжига при температурах ≥ 800 град С и завершается после отжига при температуре 1500 град СAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Формирование и исследование захороненных слоев SiC с высоким содержанием радиационных дефектов
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 38
- Journal Issue
- 10
- Journal Page Range
- p. 1211-1214
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 37064450
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- ANNEALING; BLISTERS; CRYSTAL DEFECTS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; EMISSION SPECTRA; ION IMPLANTATION; KEV RANGE 10-100; N-TYPE CONDUCTORS; PHOTOLUMINESCENCE; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; PROTON BEAMS; RADIATION DOSES; SILICON CARBIDES; TEMPERATURE RANGE 1000-4000 K
- Descriptors DEC
- BEAMS; CARBIDES; CARBON COMPOUNDS; CRYSTAL STRUCTURE; DOSES; ELECTRICAL PROPERTIES; EMISSION; ENERGY RANGE; HEAT TREATMENTS; KEV RANGE; LUMINESCENCE; MATERIALS; NUCLEON BEAMS; PARTICLE BEAMS; PHOTON EMISSION; PHYSICAL PROPERTIES; RADIATION EFFECTS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SILICON COMPOUNDS; SPECTRA; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 9 refs., 5 figs.