Published May 1998 | Version v1
Journal article Metadata-only

Dependence of critical temperature of ion-induced crystallization in gallium arsenide on implantation conditions

Creators

  • 1. BGU, Minsk (Belarus)

Description

The influence of current density of ion beam on processes of structural modification of GaAs implanted by Ar ions was studied. The energy of incident ions was 140 keV, current density of ion beam varied in the range of j 0.1-25 μA/cm2. It was established that for GaAs the transition from the amorphization to the restoration of irradiated layer occurred at 470-650 K. It was shown the critical temperature of ion induced crystallization is dependent on j. At j = 2.5-10 μA/cm2 the amorphization-to-crystallization transition occurred at temperature 470 K. At j = 25 μA/cm2 the transition took place at T ≥ 650 K

Abstract (Russian)

Методом каналирования ионов гелия исследовалось влияние плотности тока ионного пучка на процессы изменения структуры арсенида галлия, имплантированного ионами аргона. Энергия налетающих ионов 140 кэВ, плотность тока ионного пучка 0,1-25 мкА/см2. Установлено, что для арсенида галлия переход от аморфизации к восстановлению структуры облучаемого слоя под воздействием ионного пучка происходит в интервале температур 470-650 К. В интервале j = 2,5-10 мкА/см2 переход от аморфизации к кристаллизации происходил, когда температура мишени достигала 470 К. При более высоких j присходит резкое увеличение критической температуры, и при j = 25 мкA/см2 переход от аморфизации к кристаллизации наблюдался при Т ≥ 650 K

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Зависимост' критической температуры ионно-индуцированной кристаллизации арсенида галлия от условий имплантации

Publishing Information

Journal Title
Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
Journal Issue
no.5
Journal Page Range
p. 38-40
ISSN
1028-0960

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
32043890
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
ARGON IONS; CRITICAL TEMPERATURE; CRYSTAL-PHASE TRANSFORMATIONS; CRYSTALLIZATION; DOSE-RESPONSE RELATIONSHIPS; GALLIUM ARSENIDES; ION BEAMS; ION IMPLANTATION; KEV RANGE 100-1000
Descriptors DEC
ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; BEAMS; CHARGED PARTICLES; ENERGY RANGE; GALLIUM COMPOUNDS; IONS; KEV RANGE; PHASE TRANSFORMATIONS; PHYSICAL PROPERTIES; PNICTIDES; THERMODYNAMIC PROPERTIES; TRANSITION TEMPERATURE

Optional Information

Notes
7 refs.; 2 figs.