Published January 2001 | Version v1
Journal article

Electron gas heating in submicron GaAs structures under the action of fast electrons injected from the metal

  • 1. Gosudarstvennyj Univ. im.N.I. Lobachevskogo, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

Description

Monte-Carlo calculation of electron gas heating in GaAs submicron-size structures due to the action of fast electrons injected from the metal contacts under soft gamma irradiation have been conducted. Increasing an absorbed dose on Au-GaAs interface due to nonequilibrium gamma-quantum absorption in Au was taken into account. It was shown that irradiation leads to ionised electrons redistribution between Γ- and L-valleys of GaAs conduction band and two-fold decreasing a nonstationary drift velocity of charge carriers

Abstract (Russian)

Методом Монте-Карло рассчитан разогрев электронного газа в субмикронных GaAs структурах при ионизации полупроводника быстрыми электронами, инжектированными из металлических контактов при поглощении в них гамма-квантов. Учтено усиление мощности поглощенной дозы на границе раздела Au-GaAs при неравновесном поглощении потока гамма-квантов в Au. Показано, что облучение приводит к перераспределению ионизованных электронов между Γ и L-долинами зоны проводимости GaAs и двукратному уменьшению нестационарной дрейфовой скорости носителей заряда

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Разогрев электронного газа в субмикронных GaAs структурах быстрыми электронами, инжектированными из металла

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Khimiya Obrabotki Materialov
Journal Issue
no.1
Journal Page Range
p. 20-23
ISSN
0015-3214
CODEN
FKOMAT

INIS

Optional Information

Notes
5 refs., 3 figs.