Published January 2008 | Version v1
Journal article

Electrolytic anodizing of AIIIBV semiconductors implanted with rectifying metals

  • 1. Tekhnologicheskij Inst. Yuzhnogo Federal'nogo Univ., Taganrog (Russian Federation)
  • 2. OOO Al'fa, Rostov-na-Donu (Russian Federation)

Description

It is shown that ion implantation of GaAs and GaP semiconductors with Al, Zr, Ta, Hf, Gd and Nb leads to increase of electric strength and decrease of defectiveness of formed anode oxide films. Reactivity relative to hydroxide-ions is found to be decreased in tbe range Hf → Zr → Sc → Y → Ho → Gd → La → Al → Ta → Sb → Si → GaP → InP → Nb → Ga → InSb → In → GaAs → P → InAs → Hf4+ → Zr4+ → Y3+ → Ga3+ → Sc3+ → In3+ → Al3+ → As

Abstract (Russian)

Показано, что ионное легирование арсенида и фосфида галлия Al, Zr, Та, Нf, Gd и Nb позволяет повысить электрическую прочность и уменьшить дефектность формирующихся на поверхности полупроводников анодных оксидных пленок. Установлено, что реакционная способность по отношению к гидроксид-ионам уменьшается в ряду Hf → Zr → Sc → Y → Ho → Gd → La → Al → Ta → Sb → Si → GaP → InP → Nb → Ga → InSb → In → GaAs → P → InAs → Hf4+ → Zr4+ → Y3+ → Ga3+ → Sc3+ → In3+ → Al3+ → As

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Электролитическое анодирование полупроводников типа А

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Khimiya Obrabotki Materialov
Journal Issue
no.1
Journal Page Range
p. 55-59
ISSN
0015-3214
CODEN
FKOMAT

Optional Information

Notes
15 refs., 5 figs., 2 tabs.