Published July 2006 | Version v1
Journal article Metadata-only

Investigations of GaAs:Mn by means of Raman scattering and photoreflectance

Creators

  • 1. Fizicheskij Fakul'tet MGU im. M.V. Lomonosova, Moscow (Russian Federation)
  • 2. NIFTI NNGU im. N.I. Lobachevskogo, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

Description

Methods of Raman spectroscopy and photoreflection are applied to study the process of impurity activation in GaAs crystals implanted with 200 keV Mn+ ions with a 5 x 1015 cm-2 dose and annealed in a temperature range of 400-900 deg C. The specific features of the spectra observed testify to the facts that crystal structure is restored at annealing temperatures of 400-700 deg C and the impurity is activated at temperatures of 700-900 deg C

Abstract (Russian)

Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотоотражения исследуется процесс активации примеси в кристаллах GaAs, легированных имплантацией ионов Mn+ с энергией 200 кэВ дозой 5 х 1015 см-2 и отожженных в диапазоне температур 400-900 град С. Наблюдаемые особенности спектров свидетельствуют о восстановлении кристаллической структуры при температурах отжига 400-700 град С и активации примеси при температурах 700-900 град С

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Исследование процесса активации ионно-имплантированного марганца в GaAs методами комбинационного рассеяния света и фотоотражения

Publishing Information

Journal Title
Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
Journal Issue
no.7
Journal Page Range
p. 91-94
ISSN
1028-0960

Conference

Title
17. International conference On ion-surface interactions (ISI-2005)
Original Conference Title
XVII Mezhdunarodnaya konferentsiya Vzaimodejstvie ionov s poverkhnost'yu (VIP-2005)
Dates
25-29 Aug 2005
Place
Moscow (Russian Federation)

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
39021340
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Resource subtype / Literary indicator
Conference
Descriptors DEI
AMORPHOUS STATE; ANNEALING; CRYSTALLIZATION; GALLIUM ARSENIDES; ION BEAMS; ION IMPLANTATION; KEV RANGE 100-1000; MANGANESE ISOTOPES; RADIATION DOSES; RADIATION EFFECTS; RAMAN SPECTRA; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K
Descriptors DEC
ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; BEAMS; DOSES; ENERGY RANGE; GALLIUM COMPOUNDS; HEAT TREATMENTS; ISOTOPES; KEV RANGE; PHASE TRANSFORMATIONS; PNICTIDES; SPECTRA; TEMPERATURE RANGE

Optional Information

Notes
6 refs., 4 figs., 1 tab.