Published November 2004 | Version v1
Journal article

Developments of semiconductor detectors of the wide bandgap materials

Creators

  • 1. Inst. Fiziko-Tekhnicheskikh Problem, Moscow (Russian Federation)

Description

Properties of perspective materials for the creation of uncooled semiconductor detectors of X-ray and γ-radiations are considered, and brief description of native elaborations in this field is given. Spectrometric parameters of CdTe, GaAs, HgI2 and TlBr crystals based detectors are demonstrated. The best results on the energy resolution at room temperature were obtained on low sensitive CdxZn1-xTe and HgI2 based detectors. Separate samples and practised parties of such detectors were tested and effectively used. Results obtained on crystals fix the attention

Abstract (Russian)

Рассмотрены свойства материалов, перспективных для создания неохлаждаемых полупроводниковых детекторов рентгеновского и γ-излучения, и дано краткое описание отечественных разработок в этой области. Приведены спектрометрические параметры детекторов на кристаллах CdTe, GaAs, HgI2 и TlBr. Лучшие результаты по энергетическому разрешению при комнатной температуре получены на небольших по чувствительности детекторах на основе CdxZn1-xTe и HgI2. Отдельные образцы и опытные партии таких детекторов прошли испытания и успешно использованы. Привлекают внимание результаты, полученные на кристаллах

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Разработки полупроводниковых детекторов на широкозонных материалах

Publishing Information

Journal Title
Atomnaya Ehnergiya
Journal Volume
97
Journal Issue
5
Journal Page Range
p. 362-370
ISSN
0004-7163
CODEN
AENGAB

Optional Information

Notes
19 refs., 5 figs., 2 tabs.