Published December 2003 | Version v1
Journal article Metadata-only

Redistribution of ytterbium and oxygen during annealing of silicon layers amorphized by implantation

Creators

  • 1. Sankt-Peterburgskij Gosudarstvennyj Ehlektrotekhnicheskij Univ., Sankt-Peterburg (Russian Federation)
  • 2. RAN, Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
  • 3. Seccion de Electronica del Estado Solido, Cinvestav-IPN, Mexico (Mexico)

Description

The redistribution of ytterbium and oxygen in silicon layers, implanted by YB+ ions with the energy of 1 MeV and the dose of 1 x 1014 cm-2, exceeding the amorphization threshold, as well as by O+ ions with the energy of 135 keV and the dose of 1 x 1015 cm-2, has been investigated after annealings at 620 and 900 deg C. The redistribution of Yb is related to the amorphous-crystal redistribution of oxygen and its accumulation in regions with maximum Yb concentration are due to the oxygen diffusion and the formation of YbOn complexes where n is varied from 1 to 6. The parameters of the Yb segregation coefficient dependence on the thickness of recrystallized layer and the parameters of the YbOn complexes formation have been determined

Abstract (Russian)

Исследовано перераспределение иттербия и кислорода в слоях кремния, имплантированных ионами YB+ с энергией 1 МэВ и дозой 1 х 1014 см-2, превышающей порог аморфизации, а также ионами О+ с энергией 135 кэВ и дозой 1 х 1015 см-2, после отжига при 620 и 900 град С. Перераспределение Yb обусловлено сегрегацией на границе между аморфным и монокристаллическим слоями при твердофазной эпитаксиальной перекристаллизации скрытого аморфизованного слоя. Перераспределение кислорода и его накопление в областях с максимальной концентрацией Yb связано с диффузией кислорода и образованием комплексов YbOn с n, изменяющимся от 1 до 6. Определены параметры зависимости коэффициента сегрегации Yb от толщины перекристаллизационного слоя и параметры образования YbOn-комплексов

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Перераспределение иттербия и кислорода при отжиге аморфизованных имплантацией слоев кремния

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
37
Journal Issue
12
Journal Page Range
p. 1409-1413
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
36038051
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Descriptors DEI
AMORPHOUS STATE; ANNEALING; CRYSTAL DOPING; ION IMPLANTATION; MEV RANGE 01-10; OXYGEN; SEGREGATION; SILICON; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K; YTTERBIUM
Descriptors DEC
ELEMENTS; ENERGY RANGE; HEAT TREATMENTS; METALS; MEV RANGE; NONMETALS; RARE EARTHS; SEMIMETALS; TEMPERATURE RANGE

Optional Information

Notes
17 refs., 4 figs.