Published May 2004
| Version v1
Journal article
A kinetics of electroluminescence in an effective silicon light-emitting diode with temperature-stable spectral characteristics
- 1. RAN, Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
- 2. NPO Orion, Moscow (Russian Federation)
Description
Kinetics of electroluminescence (EL) rise and decay has been studied in an effective silicon light-emitting diode, prepared by the diffusion technique and characterized by a high temperature stability of spectral parameters of EL in an area of band-to-band transitions, under different currents. The EL kinetics parameters are compared with the effective minority carrier lifetime and current change kinetics parameters. Onset of a delay-time of an intensity EL increase with respect to the beginning of the voltage impulse applied to the diode has been observed. A distribution of EL over a diode surface has been measured
Abstract (Russian)
Для различных токов исследована кинетика нарастания и спада электролюминесценции эффективного кремниевого светодиода, сформированного методом диффузии и характеризующегося высокой температурной стабильностью спектральных параметров электролюминесценции в области зона-зонных переходов. Параметры кинетики электролюминесценции сравниваются с эффективными временами жизни неосновных носителей и характеристиками кинетики тока. Обнаружен эффект задержки начала интенсивного роста электролюминесценции относительно начала подачи на диод напряжения, и описаны результаты измерения распределения излучения по площади диодаAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Kinetika ehlektrolyuminestsentsii v ehffektivnom kremnievom svetodiode s temperaturno-stabil'nymi spektral'nymi kharateristikami
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 38
- Journal Issue
- 5
- Journal Page Range
- p. 634-638
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 37064519
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- CARRIER LIFETIME; DIAGRAMS; ELECTROLUMINESCENCE; LIGHT EMITTING DIODES; QUANTUM EFFICIENCY; SILICON DIODES; STABILITY; TEMPERATURE RANGE 0273-0400 K; TIME DEPENDENCE; TIMING PROPERTIES
- Descriptors DEC
- EFFICIENCY; EMISSION; INFORMATION; LIFETIME; LUMINESCENCE; PHOTON EMISSION; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEMICONDUCTOR DIODES; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 24 refs., 6 figs.