Published January 1976 | Version v1
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Localization of impurities implanted in ZnTe using channeling techniques

Creators

  • 1. CEA Centre d'Etudes Nucleaires de Grenoble, 38 (France). Dept. de Recherche Fondamentale

Description

The difficulty of creating p-n junctions in ZnTe by ion implantation has led us to locate the implanted impurities using channeling techniques and to monitor their evolution as a function of annealing temperature. The localization possibilities being related to solubility, existing data on localization experiments in Silicon were correlated with available values of limit solubilities. Lacking any data on ZnTe, we successively studied the localization of elements from group III (B, Tl), V (Bi), and VII (F). We found that Bismuth occupies a substitutional position at an annealing temperature of 550 °C.

Abstract (French)

La difficulté de créer par implantation ionique des jonctions p-n dans le ZnTe nous a incités à localiser par les techniques de canalisation les impuretés implantées et à suivre leur évolution en fonction de la température de recuit. Les possibilités de localisation étant liées à la solubilité, les données existantes concernant les expériences de localisation dans le Silicium ont été corrélées avec les valeurs disponibles des solubilités limites. Ne disposant d'aucune donnée concernant le ZnTe, nous avons étudié successivement la localisation des éléments de la colonne III (B, TI), V (Bi) et VII (F). Nous avons trouvé que le Bismuth se place en position substitutionnelle à la température de recuit de 550 °C.

Additional details

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Original title (French)
Localisation par canalisation des impuretes implantees dans le ZnTe

Identifiers

DOI
10.1051/rphysap:01976001101012600;

Publishing Information

Journal Title
Revue de Physique Appliquée
Journal Volume
11
Journal Issue
1
Series
Rev. Phys. Appl.
Journal Page Range
126-126
ISSN
0035-1687

Conference

Title
Colloquium on recent methods for solids analysis.
Dates
30 Jun 1975.
Place
Dijon, France.

INIS

Country of Publication
France
Country of Input or Organization
France
INIS RN
7258366
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Resource subtype / Literary indicator
Conference, No Abstract
Descriptors DEI
CHANNELING; IMPURITIES; ION IMPLANTATION; SILICON; ZINC TELLURIDES
Descriptors DEC
CHALCOGENIDES; ELEMENTS; SEMIMETALS; TELLURIDES; TELLURIUM COMPOUNDS; ZINC COMPOUNDS

Optional Information

Notes
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