Published June 2001
| Version v1
Journal article
An analysis of the temperature dependence of the electron mobility in a CdGeAs2 single crystal
- 1. Sibirskij Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. V.D. Kuznetsova, Tomsk (Russian Federation)
- 2. Sankt-Peterburgskij Gosudarstvennyj Tekhnicheskij Univ., Sankt-Peterburg (Russian Federation)
- 3. Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe Rossijskoj Akademii Nauk, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
Description
The analysis of the experimental temperature dependency of Hall mobility in a CdGeAs2 single crystal with degenerate electron gas is carried out. For this purpose the calculations of the drift mobility are performed by the numerical solution of the Boltzmann equation in the effective mass and isotropic continuum approximations considering the complicated character of the polar phonon spectrum. The agreement with experiment in the nitrogen temperature region is obtained with taking into account the electron scattering by single-charged Coulomb defects. The agreement of theory with experiment at room temperature is achieved only under taking into account the electron-plasmon scattering
Abstract (Russian)
Проведен анализ экспериментальной температурной зависимости холловской подвижности в монокристаллах CdGeAs2 с вырожденным электронным газом. С этой целью был выполнен расчет дрейфовой подвижности путем численного решения уравнения Больцмана в приближении изотропного континуума, эффективной массы и с учетом сложного спектра полярных фононов. Согласие с экспериментом в области азотных температур удалось получить с учетом рассеяния электронов на однозарядных собственных дефектах кулоновского типа. В области комнатных температур согласие теории и эксперимента оказалось возможным достигнуть лишь при учете рассеяния электронов на плазменных колебанияхAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Анализ температурной зависимости подвижности электронов в монокристаллах CdGeAs
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 35
- Journal Issue
- 6
- Journal Page Range
- p. 720-724
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 33049535
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- CADMIUM ARSENIDES; COULOMB SCATTERING; ELECTRON GAS; ELECTRON MOBILITY; FERMI LEVEL; GERMANIUM ARSENIDES; HALL EFFECT; MONOCRYSTALS; PHONONS; PLASMONS; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K; TEMPERATURE RANGE 0273-0400 K
- Descriptors DEC
- ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; BASIC INTERACTIONS; CADMIUM COMPOUNDS; CRYSTALS; ELASTIC SCATTERING; ELECTROMAGNETIC INTERACTIONS; ENERGY LEVELS; GERMANIUM COMPOUNDS; INTERACTIONS; MOBILITY; PARTICLE MOBILITY; PNICTIDES; QUASI PARTICLES; SCATTERING; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 16 refs., 3 figs., 1 tab.