Published July 2000 | Version v1
Journal article Metadata-only

Photoelectric properties of Se-doped Cd1.23Zn1.77As2 crystals

Creators

  • 1. Gosudarstvennyj Nauchnyj Tsentr Giredmed, Moscow (Russian Federation)
  • 2. Kurskij Gosudarstvennyj Tekhnicheskij Univ., Kursk(Russian Federation)
  • 3. Kurskij Gosudarstvennyj Pedagogicheskij Univ., Kursk (Russian Federation)

Description

The spectral dependence of the photoconductivity of the Cd1.23Zn1.77As2 material alloyed with selenium up to 1 mass % at different temperatures is studied. It is shown that photogalvanic peak is present in the photoconductivity spectra of these solid solutions within the temperature range of 79-130 K. The values of the forbidden zone width (at 0 K) and temperature coefficient of its change are determined by the temperature shift of the photoconductivity long-wave edge. The residual conductivity (RC) in the Cd1.23Zn1.77As2 system is studied. The nonuniformities in the material volume play significant role in the RC appearance beside the surface nonuniformities

Abstract (Russian)

Исследована спектральная зависимость фотопроводимости (ФП) материала состава Cd1.23Zn1.77As2, легированного селеном до 1 масс. %, при различных температурах. Показано, что в спектрах фотопроводимости этих твердых растворов, в интервале температур 79-130 К присутствует фотогальванический пик. По температурному сдвигу длинноволнового края фотопроводимости определены значения ширины запрещенной зоны (при 0 К) и температурного коэффициента ее изменения. Исследована остаточная проводимость (ОП) в Cd1.23Zn1.77As2. Кроме поверхностных неоднородностей, в появлении ОП существенную роль играют неоднородности в объеме материала

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Фотоэлектрические явления в кристаллах Cд

Publishing Information

Journal Title
Neorganicheskie Materialy
Journal Volume
36
Journal Issue
7
Journal Page Range
p. 788-791
ISSN
0002-337X
CODEN
NEOMB8

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
32007712
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
ARSENIDES; CADMIUM ALLOYS; ENERGY GAP; PHOTOCONDUCTIVITY; PHOTOCURRENTS; SELENIUM ADDITIONS; SOLID SOLUTIONS; TEMPERATURE RANGE 0000-0013 K; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K; ZINC ALLOYS
Descriptors DEC
ALLOYS; ARSENIC COMPOUNDS; CURRENTS; DISPERSIONS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC CURRENTS; ELECTRICAL PROPERTIES; HOMOGENEOUS MIXTURES; MIXTURES; PHYSICAL PROPERTIES; PNICTIDES; SELENIUM ALLOYS; SOLUTIONS; TEMPERATURE RANGE

Optional Information

Notes
14 refs., 2 figs.