Published November 1998
| Version v1
Journal article
Topography of silicon surface bombarded with nitrogen ions at various energies and angles of incidence
- 1. RAN, Inst. Mikroehlektroniki, Yaroslavl' (Russian Federation)
Description
Dependence of surface compositions, bombarded with silicon ions N2+ at various energies and angles of incidence is studied. Area of existence and dependence of the microwave-type microprofile and dependence and the dependence of the microprofile formation depth on the ions energy within the range of 2 up to 10 keV for various angles of incidence is determined through the Auger spectroscopy method. The above data are of practical value by selection of experimental conditions for the layer-by layer secondary-ion mass-spectrometry of structures on the silicon basis
Abstract (Russian)
Исследована зависимость состава поверхности при бомбардировке кремния ионами N2+ от угла падения и энергии ионов. Методом оже-спектроскопии определены область существования волнообразного микрорельефа и зависимость глубины образования микрорельефа от энергии ионов в диапазоне от 2 до 10 кэВ для различных углов падения. Данная информация имеет практическую ценность при выборе экспериментальных условий при послойной вторично-ионной масс-спектрометрии структур на основе кремнияAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Зависимост' процесса рельефообразования при бомбардировке поверхности кремния ионами азота от энергии и угла бомбардировки
Publishing Information
- Journal Title
- Neorganicheskie Materialy
- Journal Volume
- 34
- Journal Issue
- 11
- Journal Page Range
- p. 1287-1291
- ISSN
- 0002-337X
- CODEN
- NEOMB8
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 31035621
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Descriptors DEI
- ELECTRON BEAMS; ION IMPLANTATION; KEV RANGE 01-10; MASS SPECTROSCOPY; NITROGEN IONS; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SILICON; SURFACE TREATMENTS
- Descriptors DEC
- BEAMS; CHARGED PARTICLES; ELEMENTS; ENERGY RANGE; IONS; KEV RANGE; LEPTON BEAMS; MATERIALS; PARTICLE BEAMS; RADIATION EFFECTS; SEMIMETALS; SPECTROSCOPY
Optional Information
- Notes
- 6 refs., 2 figs.