Published May 2001 | Version v1
Journal article

Cathodoluminescence of Cd4SiS6, Cd4SiSe6, and Si - doped CdS, CdSe, and CdTe crystals

  • 1. MGU im. M.V. Lomonosova, Moscow (Russian Federation)

Description

Alloying with the silicon chalcogenides from the vapor phase of the CdS, CdSe, CdTe under the conditions, close to the equilibrium ones, is carried out. It is shown, that it leads to origination of new luminescence centers. The edge radiation and weak admixture band exist in the cathodoluminescence spectrum of the CdTe crystal, annealed in the tellurium vapor. The edge radiation in the silicon-doped crystal is weaker and there appears intensive admixture radiation, undoubtedly caused by silicon effect

Abstract (Russian)

Проведено легирование халькогенидами кремния из паровой фазы кристаллов CdS, CdSe, CdTe в условиях, близких к равновесным. Показано, что оно приводит к появлению новых центров люминесценции. В спектре катодолюминесценции (78 К) кристалла CdTe, отожженного в парах теллура, имеется краевое излучение и слабая примесная полоса. Для кристалла, легированного кремнием, краевое излучение слабое, и проявляется интенсивное примесное излучение, безусловно вызванное влиянием кремния

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Люминесценция кристаллов CdS, CdSe, CdTe, легированных кремнием, и тройных соединений Cд

Publishing Information

Journal Title
Neorganicheskie Materialy
Journal Volume
37
Journal Issue
5
Journal Page Range
p. 536-539
ISSN
0002-337X
CODEN
NEOMB8

Optional Information

Notes
7 refs.; 4 figs.