Published July 1999
| Version v1
Journal article
Crystalline-amorphous transition in Si/Ge superlattices under ion implantation
- 1. Inst. Fiziki Tverdogo Tela i Poluprovodnikov Natsional'noj Akademii Nauk Belarussii, Minsk (Belarus)
- 2. Univ. im. F Shillera, Jena (Germany)
- 3. Inst. Problem Tekhnologii Mikroehlektroniki i Osobo Chistykh Materialov Rossijskoj Akademii Nauk, Chernogolovka (Russian Federation)
Description
The method of transmission electron microscopy is applied to show that in a superlattice Si9Ge6 implanted with 150 keV Ar+ ions at room temperature the transition from crystalline state to amorphous one proceeds within a narrow dose range of (1-2) · 1014 cm-2. Amorphous inclusions are not observed at 1 · 1014 cm-2 dose. Thin silicon and germanium layers (9 and 6 monolayers respectively) became amorphous simultaneously. The data obtained are interpreted as a testimony of homogeneous mechanism of superlattice amorphization
Abstract (Russian)
Методом просвечивающей электронной микроскопии показано, что при имплантации ионов Ar+ с энергией 150 кэВ в сверхрешетку Si9Ge6 при комнатной температуре переход из кристаллического в аморфное состояние происходит в узком интервале доз имплантации (1-2) · 1014 см-2. При дозе 1 · 1014 см-2 аморфные включения не наблюдаются. Тонкие кремниевые и германиевые слои (толщиной 9 и 6 атомных монослоев соответственно) аморфизуются одновременно. Полученные данные интерпретируются как свидетельство гомогенного механизма аморфизации сверхрешеткиAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Переход сверхрешеток Си/Ге из кристаллического в аморфное состояние при ионной имплантации
Publishing Information
- Journal Title
- Izvestiya Akademii Nauk. Rossijskaya Akademiya Nauk. Seriya Fizicheskaya
- Journal Volume
- 63
- Journal Issue
- 7
- Journal Page Range
- p. 1352-1357
- ISSN
- 1026-3489
- CODEN
- IRAFEO
Conference
- Title
- 27. Russian conference on electron microscopy
- Original Conference Title
- 27. Rossijskaya konferentsiya po ehlektronnoj mikroskopii
- Dates
- Jun 1998
- Place
- Chernogolovka (Russian Federation)
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 31037112
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Resource subtype / Literary indicator
- Conference
- Descriptors DEI
- AMORPHOUS STATE; ARGON IONS; CRYSTALS; GERMANIUM COMPOUNDS; ION IMPLANTATION; KEV RANGE 100-1000; PHASE TRANSFORMATIONS; RADIATION DOSES; SILICON COMPOUNDS; SUPERLATTICES
- Descriptors DEC
- CHARGED PARTICLES; DOSES; ENERGY RANGE; IONS; KEV RANGE
Optional Information
- Notes
- 26 refs., 1 fig.