Published October 2003 | Version v1
Journal article

Electron-phonon interaction and coupled phonon-plasmon modes

  • 1. Landau Inst. for Theoretical Physics, Moscow (Russian Federation)

Description

The theory of Raman scattering by the coupled electron-phonon system in metals and heavily doped semiconductors is developed with the Coulomb screening and the electron-phonon deformation interaction taken into account. The Boltzmann equation for carriers is applied. Phonon frequencies and optic coupling constants are renormalized due to interactions with carriers. The k-dependent semiclassical dielectric function is involved instead of the Lindhard-Mermin expression. The results of calculations are presented for various values of the carrier concentration and the electron-phonon coupling constant

Abstract (Russian)

Теория рамановского рассеяния системой связанных электронов и фононов в металлах и сильнолегированных полупроводниках разработана с учетом кулоновского экранирования и электрон-фононной деформации. Использовано уравнение Больцмана для носителей заряда. Фононные частоты и константы оптической связи ренормированы из-за взаимодействий с носителями заряда. Полуклассическая k-зависимая диэлектрическая функция рассматривается вместо выражения Линдхарда-Мермина. Результаты расчетов представлены для различных значений концентрации носителей заряда и константы электрон-фононной связи

Additional details

Publishing Information

Journal Title
Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki
Journal Volume
124
Journal Issue
4
Journal Page Range
p. 886-897
ISSN
0044-4510
CODEN
ZETFA7

Optional Information

Notes
19 refs., 9 figs.