Published May 10, 2001 | Version v1
Journal article

Effect resonance radiation transfer of excitation porous silicon to I2 molecules sorbed in pores

  • 1. Moskovskij Gosudarstvennyj Inzhenerno-Fizicheskij Inst. (Tekhnicheskij Univ.), Moscow (Russian Federation)
  • 2. Inst. Obshchej Fiziki RAN, Moscow (Russian Federation)

Description

One studies the effect of resonance radiation-free transfer of electronic excitation between silicon nanocrystals and iodine molecules sorbed in pores. The experiment procedure includes laser-induced luminescence and laser desorption mass spectrometry. One analyzes photoluminescence spectra prior to and upon iodine sorption. Excitation of iodine through the mechanism of resonance transfer is determined to result in desorption of the iodine sorbed molecules with relatively high kinetic energies (3-1 eV). One evaluated the peculiar distance of resonance transfer the approximate value of which was equal to 2 nm

Abstract (Russian)

Изучается эффект резонансного безызлучательного переноса электронного возбуждения между нанокристаллами кремния и молекулами йода, сорбированными в порах. Методика эксперимента включает в себя лазерно-индуцированную люминесценцию и лазерную десорбционную масс-спектрометрию. Анализируются спектры фотолюминесценции до и после сорбции йода. Установлено, что возбуждение йода через механизм резонансного переноса приводит к десорбции сорбированных молекул йода с относительно высокими кинетическими энергиями (3-1 эВ). Сделана оценка характерного расстояния резонансного переноса, приблизительное значение которого равно 2 нм

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Эффект резонансного безызлучательного переноса возбуждения в пористом кремнии на молекулы И

Publishing Information

Journal Title
Pis'ma v Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki
Journal Volume
73
Journal Issue
9-10
Journal Page Range
p. 578-582
ISSN
0370-274X
CODEN
PZETAB

Optional Information

Notes
14 refs., 4 figs.