Published September 26, 2002 | Version v1
Journal article

Gamma irradiation effect on the width of the forbidden zone of ZnSe

  • 1. Nauchnyj Tsentr Inst. Yadernykh Issledovanij NAN Ukrainy, Kiev (Ukraine)
  • 2. Inst. Fiziki NAN Ukrainy, Kiev (Ukraine)
  • 3. Odesskij Natsional'nyj Univ. im. I.I. Mechnikova, Odessa (Ukraine)

Description

One investigated into effect of 60Co gamma irradiation on spectra of exciton photoluminescence of zinc selenide single crystals at 4.2 K. It was detected that at increase of irradiation dose the maximums of exciton photoluminescence at low doses shifted to high-energy region, while at high ones - to their initial position. One made conclusion that the mentioned shift resulted from variations of semiconductor forbidden band width due to radiation stimulated processes of solid phase recrystallization and build-up of point defects under irradiation

Abstract (Russian)

Исследовано влияние гамма-облучения 60Со на спектры экситонной фотолюминесценции монокристаллов селенида цинка при 4.2 К. Обнаружено, что при увеличении дозы облучения максимумы экситонной фотолюминесценции при малых дозах смещаются в высокоэнергетичную область, а при больших дозах - к своему первоначальному положению. Сделан вывод, что указанное смещение обусловлено изменениями ширины запрещенной зоны полупроводника вследствие радиационно стимулированных процессов твердофазной перекристализации и накопления точечных дефектов при облучении

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Влияние гамма-облучения на ширину запрещенной зоны ZnSe

Publishing Information

Journal Title
Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki
Journal Volume
28
Journal Issue
18
Journal Page Range
p. 13-17
ISSN
0320-0116
CODEN
PZTFDD

Optional Information

Notes
6 refs., 2 figs.