Published November 2002 | Version v1
Journal article

Effect of two-dimensional charge carriers screening on the binding energy of the exciton states in the GaAs/AlGaAs quantum wells

  • 1. Inst. Fiziki Tverdogo Tela RAN, Chernogolovka, Moskovskaya Oblast' (Russian Federation)

Description

The spectrum of the excitons excited states in the GaAs/AlGaAs quantum wells of various widths and its change due to screening the electron-hole interaction by the two-dimensional electrons is studied. Sharp decrease in the excitons binding energy by increase in the two-dimensional electrons concentration is identified and the temperature dependence of the screening parameters of the excitons basic and excited states up to the extra low temperatures T = 50 mK is studied

Abstract (Russian)

Исследован спектр возбужденных состояний экситонов в квантовых ямах GaAs/AIGaAs различной ширины и его изменение из-за экранирования электронно-дырочного взаимодействия двумерными электронами. Обнаружено резкое уменьшение энергии связи экситонов при увеличении концентрации двумерных электронов и изучена температурная зависимость параметров экранирования основного и возбужденного состояний экситонов вплоть до сверхнизких температур T = 50 мК

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Влияние экранирования двумерными носителями заряда на энергию связи экситонных состояний в GaAs/AlGaAs квантовых ямах

Publishing Information

Journal Title
Pis'ma v Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki
Journal Volume
76
Journal Issue
9-10
Journal Page Range
p. 673-677
ISSN
0370-274X
CODEN
PZETAB

Optional Information

Notes
8 refs., 4 figs.