The erbium effect on electronic traps in a-Si:H(Er)/c-Si structures produced by plasmochemical vapor deposition
Creators
- 1. Inst. Fiziki Poluprovodnikov Natsional'noj Akademii Nauk Ukrainy, Kiev (Ukraine)
- 2. Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe Rossijskoj Akademii Nauk, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
Description
The electron properties and characteristics of defects formed in the upper half of the forbidden zone by introduction of erbium into the a-Si:H(Er) amorphous hydrated silicon are studied for the first time. The studied samples were obtained by the method of plasmochemical deposition. The thickness of the studied films constitutes 0.6 μm. The study of the a-Si:H(Er)/c-Si heterostructure energy spectrum is carried out by the method of thermoactivation current spectroscopy within the temperature range of 7 up to 350 K. The data on the peaks activation energy of the thermostimulated current of the a-Si:H(Er)/c-Si structures are presented. It is established that presence of deep levels in the a-Si:H(Er) structure with energies of 0.117, 0.145, 0.15 and 0.16 eV may serve as an indicator of the Er-O complexes stimulating electroluminescence
Abstract (Russian)
Впервые исследованы электрические свойства и характеристики дефектов верхней половины запрещенной зоны, образующихся при введении в аморфный гидрированный кремний a-Si:H(Er). Исследованные образцы получены методом плазмохимического осаждения. Толщина исследуемых пленок составляет 0.6 мкм. Изучение энергетического спектра гетероструктур a-Si:H(Er)/c-Si проведено методом термоактивационной токовой спектроскопии в диапазоне температур от 7 до 350 К. Представлены данные об энергии активации пиков термостимулированного тока структур a-Si:H(Er)/c-Si. Установлено, что наличие в a-Si:H(Er) глубоких уровней с энергиями 0.117, 0.145, 0.15 и 0.16 эВ может служить индикатором Er-O-комплексов, стимулирующих электролюминесценциюAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Влияние эрбия на электронные ловушки в структурах а-Си:Х(Ер)/c-Си, полученных методом плазмохимического осаждения
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 35
- Journal Issue
- 6
- Journal Page Range
- p. 649-654
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 33049530
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Resource subtype / Literary indicator
- Numerical Data
- Descriptors DEI
- ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CRYSTAL DEFECTS; DIAGRAMS; ELECTRIC CURRENTS; ELECTRONIC STRUCTURE; ENERGY SPECTRA; ERBIUM ADDITIONS; NUMERICAL DATA; SILANES; TEMPERATURE DEPENDENCE; TRAPS
- Descriptors DEC
- ALLOYS; CHEMICAL COATING; CRYSTAL STRUCTURE; CURRENTS; DATA; DEPOSITION; ENERGY; ERBIUM ALLOYS; HYDRIDES; HYDROGEN COMPOUNDS; INFORMATION; ORGANIC COMPOUNDS; ORGANIC SILICON COMPOUNDS; RARE EARTH ADDITIONS; RARE EARTH ALLOYS; SILICON COMPOUNDS; SPECTRA; SURFACE COATING
Optional Information
- Notes
- 22 refs., 5 figs., 1 tab.