Published May 1999 | Version v1
Journal article Metadata-only

The influence of crystal planes discreteness on the interaction potential at the planar channeling

Creators

  • 1. Inst. Fiziki Tverdogo Tela imPoluprovodnikov, Minsk (Belarus)

Description

The motion of a particle in a crystal is investigated in the case of the rapidly oscillating field. The expression for the effective potential of the interaction of the particle with the crystal is obtained for the transient channeling. The calculation of the line shift for electrons with the energy 30.5 MeV during the (110) - planar channeling in silicon is carried out as a function of the disorientation angle of their motion direction relatively the axis <100>. This calculation is performed with taking into account errors caused by the nonhomogeneity of the crystallographic plane. Experimental and calculated results are compared

Abstract (Russian)

Исследовано движение частицы в кристалле в случае быстро осциллирующего поля. Получено выражение для эффективного потенциала взаимодействия частиц с кристаллами при переходном каналировании. Проведен расчет сдвига линий для электронов с энергией 30,5 МэВ при (110) - плоскостном каналировании в кремнии в зависимости от угла разориентации их направления движения относительно оси <100>. Данный расчет выполнен с учетом поправок, обусловленных неоднородностью кристаллографической плоскости. Сравниваются экспериментальные и расчетные результаты

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Влияние дискретности кристаллографических плоскостей на потенциал взаимодействия при плоскостном каналировании

Publishing Information

Journal Title
Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
Journal Issue
no.5-6
Journal Page Range
p. 46-48
ISSN
1028-0960

Conference

Title
28. Conference on interaction of charged particles with crystals
Original Conference Title
28. Konferentsiya po fizike vzaimodejstviya zaryazhennykh chastits s kristallami
Dates
25-28 May 1998
Place
Moscow (Russian Federation)

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
31035434
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Resource subtype / Literary indicator
Conference, Numerical Data
Descriptors DEI
ANGULAR DISTRIBUTION; CRYSTAL FIELD; CRYSTALS; ELECTRON CHANNELING; ELECTRONIC STRUCTURE; ENERGY-LEVEL TRANSITIONS; EQUATIONS OF MOTION; ERRORS; MEV RANGE 10-100; NUMERICAL DATA; POTENTIAL ENERGY; SILICON
Descriptors DEC
CHANNELING; DATA; DIFFERENTIAL EQUATIONS; DISTRIBUTION; ELEMENTS; ENERGY; ENERGY RANGE; EQUATIONS; INFORMATION; MEV RANGE; PARTIAL DIFFERENTIAL EQUATIONS; SEMIMETALS

Optional Information

Notes
2 refs., 2 figs.